کتاب الکترونیکی

اثر Piezjunction در مدارهای مجتمع سیلیکونی و

The Piezojunction Effect in Silicon Integrated Circuits and

دانلود کتاب The Piezojunction Effect in Silicon Integrated Circuits and (به فارسی: اثر Piezjunction در مدارهای مجتمع سیلیکونی و) نوشته شده توسط «Fabiano Fruett – Gerard C.M. Meijer»


اطلاعات کتاب اثر Piezjunction در مدارهای مجتمع سیلیکونی و

موضوع اصلی: الکترونیک: رادیو

نوع: کتاب الکترونیکی

ناشر: Springer

نویسنده: Fabiano Fruett – Gerard C.M. Meijer

زبان: English

فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)

سال انتشار: 2002

تعداد صفحه: 174

حجم کتاب: 7 مگابایت

کد کتاب: 9781402070532 , 1402070535

نوبت چاپ: 1

توضیحات کتاب اثر Piezjunction در مدارهای مجتمع سیلیکونی و

تنش مکانیکی بر میزان ولتاژ پایه-امیتر ترانزیستورهای دوقطبی بایاس رو به جلو تأثیر می گذارد. این پدیده را اثر پیزوجونشن می نامند. اثر پیزوجانکشن علت اصلی عدم دقت و رانش در حسگرهای دمایی یکپارچه و مراجع ولتاژ باند گپ است. هدف اثر Piezjunction در سیلیکون مدارهای مجتمع و حسگرها دوگانه است. اول، برای توصیف تکنیک هایی که می توانند عدم دقت ناشی از استرس مکانیکی و ناپایداری طولانی مدت را کاهش دهند. ثانیا، برای نشان دادن اینکه اثر پیزوجونشن را می توان برای انواع جدیدی از ساختارهای مکانیکی حسگر اعمال کرد. در طول ساخت و بسته‌بندی IC، فشار مکانیکی حرارتی القا می‌شود، زمانی که تراشه‌های بسته‌بندی شده تا دمای کاربرد خنک می‌شوند.
اثر پیزوجونشن توسط یک تغییر ناشی از استرس در رسانایی حامل‌های بار اقلیت ایجاد می‌شود، در حالی که اثر پیزورمقاومتی توسط یک اثر مشابه برای حامل های اکثریت بار ایجاد می شود. برای مشخص کردن اثر پیزو پیوند ناهمسانگرد، نویسندگان تحقیقات سیستماتیک را در محدوده وسیعی از تنش مکانیکی و دما انجام دادند. آزمایش ها برای جهت گیری های مختلف کریستالی و تنش انجام شده است. نتایج تجربی برای استخراج ضرایب پیزوجونشن مرتبه اول و دوم (FOPJ و SOPJ) برای ترانزیستورهای دوقطبی استفاده شده است.
نشان داده شده است که چگونه می توان از دانش پیوند پیزو و ضرایب پیزومقاومتی برای به حداقل رساندن ضرایب مکانیکی نامطلوب استفاده کرد. اثرات تنش به ترتیب بر ویژگی های الکتریکی ترانزیستورها و مقاومت ها. با مقایسه ضرایب پیزو می توان دستگاه هایی با حساسیت مکانیکی کمتر را پیدا کرد. طرح دستگاه همچنین می تواند برای کاهش حساسیت مکانیکی به تنش بهینه شود.
در مرحله بعدی نشان داده می شود که چگونه می توان از دانش تأثیرات پیزو در سطح دستگاه برای پیش بینی و کاهش منفی آنها استفاده کرد. تاثیر بر سطح مدار این برای تعدادی از مدارهای اساسی مهم، از جمله مدارهای خطی، مبدل‌های دما و مراجع باند نشان داده شده است.
در نهایت، نشان داده می‌شود که چگونه می‌توان از اثر Piezjunction برای ساخت عناصر حساس به تنش استفاده کرد. به نظر می رسد که در مقایسه با عناصر حساس به تنش مقاومتی، سنسورهای پیزوجونشن مزیت اندازه کوچکتر و اتلاف توان بسیار کم را دارند.


Mechanical stress affects the magnitude of base-emitter voltages of forward biased bipolar transistors. This phenomenon is called the piezojunction effect. The piezojunction effect is the main cause of inaccuracy and drift in integrated temperature sensors and bandgap voltage references. The aim of The Piezojunction Effect in Silicon Integrated Circuits and Sensors is twofold. Firstly, to describe techniques that can reduce the mechanical-stress-induced inaccuracy and long-term instability. Secondly, to show, that the piezojunction effect can be applied for new types of mechanical-sensor structures. During IC fabrication and packaging thermo-mechanical stress is induced, when the packaged chips cool down to the temperature of application.
The piezojunction effect is caused by a stress-induced change in the conductivity of the minority-charge carriers, while the piezoresistive effect is caused by a similar effect for the majority-charge carriers. To characterise the anisotropic piezojunction effect, the authors performed systematic investigations over wide ranges of mechanical stress and temperature. The experiments have been performed for various crystal and stress orientations. The experimental results have been used to extract the first- and second-order piezojunction (FOPJ and SOPJ) coefficients for bipolar transistors.
It is shown how the knowledge of the piezojunction and piezoresistive coefficients can used to minimize the undesirable mechanical-stress effects on the electrical characteristics of transistors and resistors, respectively. Devices with lower mechanical-stress sensitivity can be found by comparing their piezo-coefficients. The layout of the device can also be optimized to reduce the mechanical-stress sensitivity.
As a next step it is shown, how the knowledge of the piezo-effects on device level can be used to predict and to reduce their negative influence on circuit level. This is demonstrated for a number of important basic circuits, including translinear circuits, temperature transducers and bandgap references.
Finally, it is shown how the piezojunction effect can be used to fabricate stress-sensing elements. It appears that, in comparison with resistive stress-sensing elements, the piezojunction sensors have the advantage of a smaller size and very low power dissipation.

دانلود کتاب «اثر Piezjunction در مدارهای مجتمع سیلیکونی و»

مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.

برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.