دانلود کتاب III-nitride devices and nanoengineering (به فارسی: دستگاه های III-نیترید و مهندسی نانو) نوشته شده توسط «Zhe Chuan Feng – Zhe Chuan Feng»
اطلاعات کتاب دستگاه های III-نیترید و مهندسی نانو
موضوع اصلی: فن آوری
نوع: کتاب الکترونیکی
ناشر: Imperial College Press
نویسنده: Zhe Chuan Feng – Zhe Chuan Feng
زبان: English
فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)
سال انتشار: 2008
تعداد صفحه: 477
حجم کتاب: 49 مگابایت
کد کتاب: 1848162235 , 9781848162235
توضیحات کتاب دستگاه های III-نیترید و مهندسی نانو
دستگاه‌ها، علوم و فناوری‌های نانومقیاس مبتنی بر GaN و مواد مرتبط، در سال‌های اخیر به پیشرفت‌های بزرگی دست یافته‌اند. دستگاه های جدید مبتنی بر GaN مانند آشکارسازهای UV، دستگاه های سریع p-HEMT و مایکروویو بسیار برتر از سایر دستگاه های مبتنی بر مواد نیمه هادی ساخته شده اند.
که توسط کارشناسان مشهور نوشته شده است، فصول بررسی این کتاب مهم ترین موضوعات و دستاوردهای سال های اخیر را پوشش می دهد، پیشرفت های گروه های مختلف را مورد بحث قرار می دهد و مسیرهای آینده را پیشنهاد می کند. در هر فصل نیز مبانی تئوری و آزمایش توضیح داده شده است.
این کتاب منبع ارزشمندی برای مهندسین طراحی و پردازش دستگاه، تولیدکنندگان مواد و ارزیابان، فارغ التحصیلان و دانشمندان و همچنین تازه واردان در زمینه GaN است.
محتوا: رشد کریستال حجیم فشار بالا (Ga,Al)N (P Geiser et al.); ساخت دیودهای ساطع نور GaN توسط تکنیک لیزر خاموش (C-F Chu et al.); مشاهدات میکروسکوپ الکترونی با وضوح بالا از دیودهای لیزری مبتنی بر GaN (M Shiojiri). رشد و توسعه ردیاب های نوری III-نیترید (U Chowdhury et al.). دیودهای لیزری رشد کرده روی بستر GaN حجیم (P Perlin و همکاران). III-دیودهای ساطع کننده روشنایی نیترید روی Si (N C Chen & C F Shih); دستگاه های ساطع کننده نور III-نیترید بر روی بسترهای یاقوت کبود طرح دار (D S Wuu et al.); روندهای اخیر در نانومواد نیترید ایندیم (A Ganguly et al.); و سایر اوراق
Written by renowned experts, the review chapters in this book cover the most important topics and achievements in recent years, discuss progress made by different groups, and suggest future directions. Each chapter also describes the basis of theory and experiment.
This book is an invaluable resource for device design and processing engineers, material growers and evaluators, postgraduates and scientists as well as newcomers in the GaN field.
Contents: High Pressure Bulk Crystal Growth of (Ga,Al)N (P Geiser et al.); Fabrication of GaN Light Emitting Diodes by Laser-Off Technique (C-F Chu et al.); High-Resolution Electron Microscopy Observations of GaN-Based Laser Diodes (M Shiojiri); Growth and Development of III-Nitride Photodetectors (U Chowdhury et al.); Laser Diodes Grown on Bulk GaN Substrate (P Perlin et al.); III-Nitride Lighting Emitting Diodes on Si (N C Chen & C F Shih); III-Nitride Light-Emitting Devices on Patterned Sapphire Substrates (D S Wuu et al.); Recent Trends in Indium Nitride Nanomaterials (A Ganguly et al.); and other papers.
دانلود کتاب «دستگاه های III-نیترید و مهندسی نانو»
برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.