دانلود کتاب Wide Energy Bandgap Electronic Devices (به فارسی: دستگاه های الکترونیکی باندگپ وسیع انرژی) نوشته شده توسط «Fan Ren – John C. Zolper»
اطلاعات کتاب دستگاه های الکترونیکی باندگپ وسیع انرژی
موضوع اصلی: الکترونیک
نوع: کتاب الکترونیکی
ناشر: World Scientific Publishing Company
نویسنده: Fan Ren – John C. Zolper
زبان: English
فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)
سال انتشار: 2004
تعداد صفحه: 526
حجم کتاب: 55 مگابایت
کد کتاب: 9789812382467 , 9812382461
توضیحات کتاب دستگاه های الکترونیکی باندگپ وسیع انرژی
این کتاب خلاصه ای از آخرین وضعیت موجود در SiC و GaN را ارائه می دهد و زمینه های توسعه آینده را مشخص می کند. بهبودهای قابل توجه در کیفیت مواد و عملکرد دستگاه در چند سال اخیر، نوید این فناوری‌ها را برای مناطقی نشان می‌دهد که Si به دلیل فاصله باند کوچک‌تر نمی‌تواند کار کند. ما احساس می‌کنیم که این مجموعه از فصل‌ها مقدمه‌ای عالی برای این زمینه ارائه می‌کند و مرجع برجسته‌ای برای کسانی است که در مورد نیمه‌هادی‌های باندگپ گسترده تحقیق می‌کنند.
در این کتاب، کارشناسان متعددی را در این زمینه گرد هم می آوریم تا پیشرفت در دستگاه های الکترونیکی SiC و GaN و آشکارسازهای جدید را بررسی کنند. پروفسور مورکوک رشد و خصوصیات نیتریدها را مرور می‌کند و به دنبال آن فصل‌هایی از پروفسور شور، پروفسور کارمالکار و پروفسور گاسکا در مورد ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا، پروفسور پیرتون و همکارانش در مورد یکسو کننده‌های مبتنی بر ولتاژ شکست بسیار بالا و گروه پروفسور ارائه می‌شود. Abernathy در مورد دستگاه های MOS در حال ظهور در سیستم نیترید. دکتر باکا از آزمایشگاه ملی Sandia و دکتر چانگ از Agilent استفاده از گروه V-نیتریدهای مخلوط را به عنوان لایه پایه در ترانزیستورهای دوقطبی جدید Heterojunction مرور می کنند. 3 فصل در مورد SiC وجود دارد، از جمله پروفسور اسکورونسکی در مورد رشد و خصوصیات، پروفسور چاو در مورد یکسو کننده های برقی شاتکی و پین و پروفسور کوپر در مورد ماسفت های قدرت. پروفسور دوپویس و پروفسور کمپبل یک نمای کلی از آشکارسازهای مبتنی بر نیترید با طول موج کوتاه ارائه می دهند. در نهایت، جیهیون کیم و همکارانش پیشرفت‌های اخیر را در اسپین‌ترونیک نیمه‌رسانای باند گسترده توصیف می‌کنند که در آن می‌توان فرومغناطیس دمای اتاق را بدست آورد و از اسپین الکترون علاوه بر بار آن بهره‌برداری کرد.
In this book, we bring together numerous experts in the field to review progress in SiC and GaN electronic devices and novel detectors. Professor Morkoc reviews the growth and characterization of nitrides, followed by chapters from Professor Shur, Professor Karmalkar, and Professor Gaska on High Electron Mobility Transistors, Professor Pearton and co-workers on ultra-high breakdown voltage GaN-based rectifiers and the group of Professor Abernathy on emerging MOS devices in the nitride system. Dr Baca from Sandia National Laboratories and Dr Chang from Agilent review the use of mixed group V-nitrides as the base layer in novel Heterojunction Bipolar Transistors. There are 3 chapters on SiC, including Professor Skowronski on growth and characterization, Professor Chow on power Schottky and pin rectifiers and Professor Cooper on power MOSFETs. Professor Dupuis and Professor Campbell give an overview of short wavelength, nitride based detectors. Finally, Jihyun Kim and co-workers describe recent progress in wide bandgap semiconductor spintronics where one can obtain room temperature ferromagnetism and exploit the spin of the electron in addition to its charge.
دانلود کتاب «دستگاه های الکترونیکی باندگپ وسیع انرژی»
برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.