کتاب الکترونیکی

دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si

Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices

دانلود کتاب Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (به فارسی: دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si) نوشته شده توسط «C.K Maiti – S Chattopadhyay – L.K Bera»

اطلاعات کتاب دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si

موضوع اصلی: فن آوری

نوع: کتاب الکترونیکی

ناشر: Taylor & Francis

نویسنده: C.K Maiti – S Chattopadhyay – L.K Bera

زبان: English

فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)

سال انتشار: 2007

تعداد صفحه: 438

حجم کتاب: 6 مگابایت

کد کتاب: 9780750309936 , 0750309938

نوبت چاپ: 1

توضیحات کتاب دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si

ترکیبی از علم مواد، فرآیندهای تولید، و تحقیقات و توسعه‌های پیشگام SiGe و Strained-Si سطح بی‌سابقه‌ای از بهبود عملکرد را با هزینه‌های تولید پایین ارائه کرده‌اند. دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si که همه این حوزه‌ها را در بر می‌گیرد، به نیازهای تحقیقاتی مرتبط با جنبه‌های جلویی گسترش فناوری CMOS از طریق مهندسی کرنش می‌پردازد. این کتاب مبنایی را برای مقایسه فناوری‌های موجود با جهت‌های فناوری آینده CMOS ساختار ناهمسان سیلیکونی فراهم می‌کند. پس از مقدمه‌ای بر مواد، فصل‌های بعدی بر میکروالکترونیک، بسترهای مهندسی شده، ماسفت‌ها و هتروفت‌ها تمرکز دارند. هر فصل یافته‌های تحقیقات اخیر، دستگاه‌ها و مدارهای صنعتی، جداول و شکل‌های متعدد، مراجع مهم، و در صورت لزوم، شبیه‌سازی‌های کامپیوتری را ارائه می‌کند. موضوعات پوشش داده شده عبارتند از: کاربردهای لایه‌های Si strained-Si در فناوری CMOS مبتنی بر SiGe، ویژگی‌های الکترونیکی فیلم‌های دو محوره با کرنش-Si، و پیشرفت‌های تشکیل دی الکتریک گیت بر روی لایه‌های هترولوی کرنش‌شده Si/SiGe. این کتاب همچنین هترو-FET های سیلیکونی را در سیستم های مواد SiGe و SiGeC، بهبود عملکرد ماسفت، و شبیه سازی استرس ناشی از فرآیند در ماسفت ها توصیف می کند. از مواد بستر و خواص الکترونیکی گرفته تا فن‌آوری و دستگاه‌های فرآیند Si/SiGe، تنوع فعالیت‌های تحقیق و توسعه و نتایج ارائه‌شده در این کتاب بدون شک باعث پیشرفت بیشتر در این زمینه خواهد شد.

A combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices addresses the research needs associated with the front-end aspects of extending CMOS technology via strain engineering. The book provides the basis to compare existing technologies with the future technological directions of silicon heterostructure CMOS. After an introduction to the material, subsequent chapters focus on microelectronics, engineered substrates, MOSFETs, and hetero-FETs. Each chapter presents recent research findings, industrial devices and circuits, numerous tables and figures, important references, and, where applicable, computer simulations. Topics covered include applications of strained-Si films in SiGe-based CMOS technology, electronic properties of biaxial strained-Si films, and the developments of the gate dielectric formation on strained-Si/SiGe heterolayers. The book also describes silicon hetero-FETs in SiGe and SiGeC material systems, MOSFET performance enhancement, and process-induced stress simulation in MOSFETs. From substrate materials and electronic properties to strained-Si/SiGe process technology and devices, the diversity of R&D activities and results presented in this book will no doubt spark further development in the field.

دانلود کتاب «دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si»

مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.

برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.

برچسب ها
مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.
کتابخانه دیجیتال بَلیان