کتاب الکترونیکی

فیزیک و مدل سازی دستگاه های ترا و نانو

Physics and modeling of tera-and nano-devices

دانلود کتاب Physics and modeling of tera-and nano-devices (به فارسی: فیزیک و مدل سازی دستگاه های ترا و نانو) نوشته شده توسط «Maxim Ryzhii – Maxim Ryzhii – Victor Ryzhii»


اطلاعات کتاب فیزیک و مدل سازی دستگاه های ترا و نانو

موضوع اصلی: فناوری نانو

نوع: کتاب الکترونیکی

ناشر: World Scientific

نویسنده: Maxim Ryzhii – Maxim Ryzhii – Victor Ryzhii

زبان: English

فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)

سال انتشار: 2008

تعداد صفحه: 194

حجم کتاب: 15 مگابایت

کد کتاب: 9789812779045 , 9812779043

توضیحات کتاب فیزیک و مدل سازی دستگاه های ترا و نانو

فیزیک و مدل‌سازی دستگاه‌های ترا و نانو مجموعه‌ای از مقالات محققان معتبری است که در زمینه فیزیک و مدل‌سازی دستگاه‌های الکترونیکی و نوری جدید کار می‌کنند. موضوعات تحت پوشش شامل دستگاه‌های مبتنی بر نانولوله‌های کربنی، تولید و تشخیص تشعشعات تراهرتز در ساختارهای نیمه‌رسانا از جمله نوسانات و ناپایداری‌های پلاسمای تراهرتز، فوتومیکس تراهرتز در ساختارهای ناهمسان نیمه‌رسانا، پدیده‌های اسپین و مایکروویو القا شده در سیستم‌های کم‌چشمه و ابعاد مختلف است. مدل سازی محققان و همچنین دانشجویان تحصیلات تکمیلی و کارشناسی ارشد شاغل در این زمینه از مطالعه این کتاب بهره مند خواهند شد.

محتوا: مقیاس‌بندی دستگاه نیمه‌رسانا: فیزیک، حمل‌ونقل، و نقش نانوسیم‌ها (D K Ferry و همکاران). اثرات قطبی در اتصالات اثر میدانی برای نیمه هادی های غیر متعارف (N Kirova); شبیه سازی مونت کارلو سلولی انتقال میدان بالا در دستگاه های نیمه هادی (S M Goodnick & M Saraniti); شبیه‌سازی دستگاه نانوالکترونیکی بر اساس فرمالیسم تابع ویگنر (H Kosina); شبیه‌سازی کوانتومی دستگاه‌های ماسفت دو دروازه‌ای: ساخت و استقرار ابزارهای نرم‌افزار نانوتکنولوژی جامعه در nanoHUB.org (S Ahmed et al.); مقاومت مغناطیسی مثبت در تماس نقطه ای: تظاهرات احتمالی برهمکنش ها (V T Renard و همکاران). تأثیر نوسانات پارامترهای ذاتی در دستگاه‌های نانو CMOS بر مدارها و سیستم‌ها (S Roy et al.); دستگاه های نانومتری مبتنی بر HEMT به سوی عصر تراهرتز (E Sano & T Otsuji); امواج پلاسما در سیستم های الکترونی دو بعدی و کاربردهای آنها (V Ryzhii و همکاران). آنتن تشخیص تراهرتز تشدید کننده با استفاده از نوسانات پلاسما در دیود شاتکی جانبی (A Satou et al.); کنترل کننده قطبش تراهرتز بر اساس کنترل پراکندگی الکترونیکی پلاسمون های دوبعدی (T Nishimura & T Otsuji). رزونانس‌های پلاسمون مرتبه بالاتر در آرایه‌های ترانزیستوری اثر میدانی مبتنی بر GaN (V V Popov و همکاران). تشخیص تراهرتز بسیار حساس با استفاده از نقاط کوانتومی نانولوله کربنی (Y Kawano et al.); تولید دسته های الکترونی فوق کوتاه در نانوساختارها توسط پالس های لیزری فمتوثانیه (A Gladun et al.); خصوصیات نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ با استفاده از خط انتقال RTD (K Narahara و همکاران). آشکارسازهای کوانتومی مادون قرمز با ضبط محدود انتشار (N Vagidov و همکاران)؛ مقاومت مغناطیسی در اتصالات تونل مغناطیسی Fe/MgO/Fe (N N Beleskii و همکاران). مدلسازی و پیاده سازی محاسبات کوانتومی مبتنی بر اسپین (M E Hawley و همکاران). مهندسی کوانتومی برای کاهش تهدید و امنیت داخلی (G P Berman et al.); تاثیر خطای تولید ماسک تغییر فاز قوی بر قابلیت چاپ خط پلی 65 نانومتری (N Belova).


Physics and Modeling of Tera- and Nano-Devices is a compilation of papers by well-respected researchers working in the field of physics and modeling of novel electronic and optoelectronic devices. The topics covered include devices based on carbon nanotubes, generation and detection of terahertz radiation in semiconductor structures including terahertz plasma oscillations and instabilities, terahertz photomixing in semiconductor heterostructures, spin and microwave-induced phenomena in low-dimensional systems, and various computational aspects of device modeling. Researchers as well as graduate and postgraduate students working in this field will benefit from reading this book.

Contents: Semiconductor Device Scaling: Physics, Transport, and the Role of Nanowires (D K Ferry et al.); Polaronic Effects at the Field Effect Junctions for Unconventional Semiconductors (N Kirova); Cellular Monte Carlo Simulation of High Field Transport in Semiconductor Devices (S M Goodnick & M Saraniti); Nanoelectronic Device Simulation Based on the Wigner Function Formalism (H Kosina); Quantum Simulations of Dual Gate MOSFET Devices: Building and Deploying Community Nanotechnology Software Tools on nanoHUB.org (S Ahmed et al.); Positive Magneto-Resistance in a Point Contact: Possible Manifestation of Interactions (V T Renard et al.); Impact of Intrinsic Parameter Fluctuations in Nano-CMOS Devices on Circuits and Systems (S Roy et al.); HEMT-Based Nanometer Devices Toward Terahertz Era (E Sano & T Otsuji); Plasma Waves in Two-Dimensional Electron Systems and Their Applications (V Ryzhii et al.); Resonant Terahertz Detection Antenna Utilizing Plasma Oscillations in Lateral Schottky Diode (A Satou et al.); Terahertz Polarization Controller Based on Electronic Dispersion Control of 2D Plasmons (T Nishimura & T Otsuji); Higher-Order Plasmon Resonances in GaN-Based Field-Effect Transistor Arrays (V V Popov et al.); Ultra-Highly Sensitive Terahertz Detection Using Carbon-Nanotube Quantum Dots (Y Kawano et al.); Generation of Ultrashort Electron Bunches in Nanostructures by Femtosecond Laser Pulses (A Gladun et al.); Characterization of Voltage-Controlled Oscillator Using RTD Transmission Line (K Narahara et al.); Infrared Quantum-Dot Detectors with Diffusion-Limited Capture (N Vagidov et al.); Magnetoresistance in Fe/MgO/Fe Magentic Tunnel Junctions (N N Beleskii et al.); Modeling and Implementation of Spin-Based Quantum Computation (M E Hawley et al.); Quantum Engineering for Threat Reduction and Homeland Security (G P Berman et al.); Strong Phase Shift Mask Manufacturing Error Impact on the 65nm Poly Line Printability (N Belova).

دانلود کتاب «فیزیک و مدل سازی دستگاه های ترا و نانو»

مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.

برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.