دانلود کتاب Materials fundamentals of gate dielectrics (به فارسی: اصول مواد دی الکتریک دروازه) نوشته شده توسط «Alexander A. Demkov – Alexandra Navrotsky»
اطلاعات کتاب اصول مواد دی الکتریک دروازه
موضوع اصلی: 1
نوع: کتاب الکترونیکی
ناشر: Springer
نویسنده: Alexander A. Demkov – Alexandra Navrotsky
زبان: English
فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)
سال انتشار: 2005
تعداد صفحه: 477
حجم کتاب: 15 مگابایت
کد کتاب: 1402030770 , 9781402030772 , 1402030789 , 9781402030789
نوبت چاپ: 1
توضیحات کتاب اصول مواد دی الکتریک دروازه
این کتاب اصول دی الکتریک های جدید گیت را ارائه می کند که در ساخت نیمه هادی ها برای اطمینان از مقیاس پذیری مداوم دستگاه های CMOS معرفی می شوند. از آنجایی که این یک زمینه تحقیقاتی به سرعت در حال توسعه است، ما انتخاب می کنیم که بر روی موادی تمرکز کنیم که عملکرد برنامه های دستگاه را تعیین می کنند. بیشتر این مواد اکسیدهای فلزات واسطه هستند. از قضا، اوربیتال‌های d مسئول ثابت دی‌الکتریک بالا، مشکلات ادغام شدیدی ایجاد می‌کنند، بنابراین ذاتاً دی‌الکتریک‌های k بالا را محدود می‌کنند. اگرچه در صنعت الکترونیک جدید هستند، بسیاری از این مواد در زمینه سرامیک شناخته شده هستند و ما این ارتباط منحصر به فرد را شرح می دهیم. پیچیدگی روابط ساختار-ویژگی در اکسیدهای TM مستلزم استفاده از محاسبات اصول اولیه پیشرفته است. چندین فصل شرح مفصلی از نظریه مدرن پلاریزاسیون و ناپیوستگی باند ناهمگونی در چارچوب تئوری تابعی چگالی ارائه می دهد. روش‌های آزمایشی شامل کالری‌سنجی محلول مذاب اکسید و کالری‌سنجی روبشی تفاضلی، پراکندگی رامان و سایر تکنیک‌های مشخص‌سازی نوری، میکروسکوپ الکترونی عبوری، و طیف‌سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس است. مربوط به سایر نیمه هادی ها مانند GaAs. بنابراین، مروری جامع از تحولات اخیر در این زمینه نیز ارائه شده است. این کتاب برای کسانی که به طور فعال در تحقیقات دی الکتریک دروازه و دانشجویان فارغ التحصیل در رشته های علوم مواد، فیزیک مواد، شیمی مواد، و مهندسی برق فعالیت می کنند، جالب خواهد بود.
This book presents the fundamentals of novel gate dielectrics that are being introduced into semiconductor manufacturing to ensure the continuous scaling of CMOS devices. As this is a rapidly evolving field of research we choose to focus on the materials that determine the performance of device applications. Most of these materials are transition metal oxides. Ironically, the d-orbitals responsible for the high dielectric constant cause severe integration difficulties, thus intrinsically limiting high-k dielectrics. Though new in the electronics industry many of these materials are well-known in the field of ceramics, and we describe this unique connection. The complexity of the structure-property relations in TM oxides requires the use of state-of-the-art first-principles calculations. Several chapters give a detailed description of the modern theory of polarization, and heterojunction band discontinuity within the framework of the density functional theory. Experimental methods include oxide melt solution calorimetry and differential scanning calorimetry, Raman scattering and other optical characterization techniques, transmission electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy.
Many of the problems encountered in the world of CMOS are also relevant for other semiconductors such as GaAs. A comprehensive review of recent developments in this field is thus also given. The book will be of interest to those actively engaged in gate dielectric research, and to graduate students in Materials Science, Materials Physics, Materials Chemistry, and Electrical Engineering.
دانلود کتاب «اصول مواد دی الکتریک دروازه»
برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.