دانلود کتاب Fabrication of SiGe HBT BiCMOS technology (به فارسی: ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS) نوشته شده توسط «John D. Cressler»
اطلاعات کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS
موضوع اصلی: الکترونیک
نوع: کتاب الکترونیکی
ناشر: CRC Press
نویسنده: John D. Cressler
زبان: English
فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)
سال انتشار: 2008
تعداد صفحه: 260
حجم کتاب: 7 مگابایت
کد کتاب: 1420066870 , 9781420066876
نوبت چاپ: 1
توضیحات کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS
فناوری SiGe HBT BiCMOS پیشگام آشکار فضای کاربرد ناهمسان ساختارهای Si است. تا به امروز، تقریباً هر بازیگر اصلی در بازار الکترونیک ارتباطات، یا SiGe را در داخل خود راه اندازی و راه اندازی کرده است یا از دستگاه SiGe شخص دیگری به عنوان ریخته گری برای طراحان خود استفاده می کند. کلید این موفقیت در ادغام موفقیت آمیز SiGe HBT و Si CMOS نهفته است، بدون از دست دادن عملکرد هر دو دستگاه. پر از مشارکت کارشناسان برجسته، ساخت فناوری های SiGe HBT BiCMOS یک بحث کامل از این موضوعات را در یک منبع واحد گرد هم می آورد.
این جلد برگرفته از کتاب جامع و به خوبی بررسی شده سیلیکون Heterostructure، طراحی، ساخت و کاربرد ترانزیستورهای ناهم ساختار سیلیکونی را بررسی می کند. جنبه جدید این کتاب گنجاندن نماهای عکس فوری متعدد از پیشرفته ترین صنعت برای فناوری SiGe HBT BiCMOS است. این به دقت طراحی شده است تا مبنایی مفید برای مقایسه برای وضعیت فعلی و مسیر آینده صنعت جهانی فراهم کند. علاوه بر مطالب فنی فراوان و مراجع متعدد موجود در هر فصل، این کتاب شامل ضمیمههایی با مرجع آسان در مورد خواص Si و Ge، روابط تعمیمیافته Moll-Ross، روابط انتگرال بار-کنترل و نمونه SiGe HBT است. پارامترهای مدل فشرده
Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook , this volume examines the design, fabrication, and application of silicon heterostructure transistors. A novel aspect of this book the inclusion of numerous snapshot views of the industrial state-of-the-art for SiGe HBT BiCMOS technology. It has been carefully designed to provide a useful basis of comparison for the current status and future course of the global industry. In addition to the copious technical material and the numerous references contained in each chapter, the book includes easy-to-reference appendices on the properties of Si and Ge, the generalized Moll-Ross relations, integral charge-control relations, and sample SiGe HBT compact model parameters.
دانلود کتاب «ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS»
برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.