کتاب الکترونیکی

ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS

Fabrication of SiGe HBT BiCMOS technology

دانلود کتاب Fabrication of SiGe HBT BiCMOS technology (به فارسی: ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS) نوشته شده توسط «John D. Cressler»


اطلاعات کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS

موضوع اصلی: الکترونیک

نوع: کتاب الکترونیکی

ناشر: CRC Press

نویسنده: John D. Cressler

زبان: English

فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)

سال انتشار: 2008

تعداد صفحه: 260

حجم کتاب: 7 مگابایت

کد کتاب: 1420066870 , 9781420066876

نوبت چاپ: 1

توضیحات کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS

فناوری SiGe HBT BiCMOS پیشگام آشکار فضای کاربرد ناهمسان ساختارهای Si است. تا به امروز، تقریباً هر بازیگر اصلی در بازار الکترونیک ارتباطات، یا SiGe را در داخل خود راه اندازی و راه اندازی کرده است یا از دستگاه SiGe شخص دیگری به عنوان ریخته گری برای طراحان خود استفاده می کند. کلید این موفقیت در ادغام موفقیت آمیز SiGe HBT و Si CMOS نهفته است، بدون از دست دادن عملکرد هر دو دستگاه. پر از مشارکت کارشناسان برجسته، ساخت فناوری های SiGe HBT BiCMOS یک بحث کامل از این موضوعات را در یک منبع واحد گرد هم می آورد.

این جلد برگرفته از کتاب جامع و به خوبی بررسی شده سیلیکون Heterostructure، طراحی، ساخت و کاربرد ترانزیستورهای ناهم ساختار سیلیکونی را بررسی می کند. جنبه جدید این کتاب گنجاندن نماهای عکس فوری متعدد از پیشرفته ترین صنعت برای فناوری SiGe HBT BiCMOS است. این به دقت طراحی شده است تا مبنایی مفید برای مقایسه برای وضعیت فعلی و مسیر آینده صنعت جهانی فراهم کند. علاوه بر مطالب فنی فراوان و مراجع متعدد موجود در هر فصل، این کتاب شامل ضمیمه‌هایی با مرجع آسان در مورد خواص Si و Ge، روابط تعمیم‌یافته Moll-Ross، روابط انتگرال بار-کنترل و نمونه SiGe HBT است. پارامترهای مدل فشرده


SiGe HBT BiCMOS technology is the obvious groundbreaker of the Si heterostructures application space. To date virtually every major player in the communications electronics market either has SiGe up and running in-house or is using someone else’s SiGe fab as foundry for their designers. Key to this success lies in successful integration of the SiGe HBT and Si CMOS, with no loss of performance from either device. Filled with contributions from leading experts, Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technologies brings together a complete discussion of these topics into a single resource.

Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook , this volume examines the design, fabrication, and application of silicon heterostructure transistors. A novel aspect of this book the inclusion of numerous snapshot views of the industrial state-of-the-art for SiGe HBT BiCMOS technology. It has been carefully designed to provide a useful basis of comparison for the current status and future course of the global industry. In addition to the copious technical material and the numerous references contained in each chapter, the book includes easy-to-reference appendices on the properties of Si and Ge, the generalized Moll-Ross relations, integral charge-control relations, and sample SiGe HBT compact model parameters.

دانلود کتاب «ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS»

مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.

برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.