کتاب الکترونیکی

مدل سازی ترانزیستور MOS مبتنی بر شارژ: مدل EKV برای طراحی آی سی کم مصرف و RF

Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design

دانلود کتاب Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design (به فارسی: مدل سازی ترانزیستور MOS مبتنی بر شارژ: مدل EKV برای طراحی آی سی کم مصرف و RF) نوشته شده توسط «Christian C. Enz – Eric A. Vittoz»

اطلاعات کتاب مدل سازی ترانزیستور MOS مبتنی بر شارژ: مدل EKV برای طراحی آی سی کم مصرف و RF

موضوع اصلی: فن آوری

نوع: کتاب الکترونیکی

ناشر: Wiley

نویسنده: Christian C. Enz – Eric A. Vittoz

زبان: English

فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)

سال انتشار: 2006

تعداد صفحه: 328

حجم کتاب: 4 مگابایت

کد کتاب: 9780470855416 , 047085541X

توضیحات کتاب مدل سازی ترانزیستور MOS مبتنی بر شارژ: مدل EKV برای طراحی آی سی کم مصرف و RF

مدارهای مجتمع آنالوگ مدرن و در مقیاس بزرگ (ICs) اساساً از ترانزیستورهای نیمه هادی اکسید فلزی (MOS) و اتصالات آنها تشکیل شده اند. همانطور که فناوری به ابعاد زیر میکرون عمیق کاهش می یابد و ولتاژ منبع تغذیه برای کاهش مصرف برق کاهش می یابد، این مدارهای آنالوگ پیچیده حتی بیشتر به رفتار دقیق هر ترانزیستور وابسته هستند. طراحی مدار آنالوگ با کارایی بالا نیازمند مدل بسیار دقیق ترانزیستور است که رفتارهای استاتیکی و دینامیکی آن، نویز و محدودیت های تطبیق و تغییرات دمایی آن را به طور دقیق توصیف کند. مدل ترانزیستور مبتنی بر شارژ EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) MOS برای طراحی IC برای ارائه درک روشنی از ویژگی‌های دستگاه، بدون استفاده از معادلات پیچیده، توسعه یافته است. تمامی مدل های استاتیک، دینامیک، نویز، غیر شبه استاتیکی به طور کامل از نظر شارژ وارونگی در منبع و درین با استفاده از تقارن دستگاه توضیح داده شده است. به لطف ساختار سلسله مراتبی آن، این مدل چندین سطح توصیف منسجم را ارائه می دهد، از معادلات محاسبه دستی اولیه تا مدل شبیه سازی کامپیوتری کامل. همچنین فشرده است، با حداقل تعداد پارامترهای دستگاه وابسته به فرآیند.

این کتاب که توسط توسعه دهندگان آن نوشته شده است، درمان جامعی از مدل مبتنی بر شارژ EKV ترانزیستور MOS برای طراحی و شبیه سازی آی سی های آنالوگ کم مصرف و RF ارائه می دهد. نویسندگان به وضوح به سه بخش تقسیم شده و به طور سیستماتیک بررسی می‌کنند:

  • مدل پایه مبتنی بر شارژ ذاتی کانال بلند، شامل تمام جنبه‌های اساسی مدل EKV MOST مانند مدل پایه استاتیک سیگنال بزرگ، نویز مدل، و بحث در مورد اثرات دما و خواص تطبیق.
  • مدل مبتنی بر شارژ گسترده، ارائه اطلاعات مهم برای درک عملکرد دستگاه‌های زیر میکرون عمیق.
  • مدل فرکانس بالا، ارائه یک مدل ترانزیستور MOS کامل مورد نیاز برای طراحی مدارهای مجتمع RF CMOS.

مهندسان و طراحان مدار در صنعت دستگاه های نیمه هادی و سیستم های الکترونیکی این کتاب را راهنمای ارزشمندی برای مدل سازی ترانزیستورهای MOS برای مدارهای مجتمع خواهند یافت. همچنین یک مرجع مفید برای دانشجویان پیشرفته در مهندسی برق و کامپیوتر است.

Modern, large-scale analog integrated circuits (ICs) are essentially composed of metal-oxide semiconductor (MOS) transistors and their interconnections. As technology scales down to deep sub-micron dimensions and supply voltage decreases to reduce power consumption, these complex analog circuits are even more dependent on the exact behavior of each transistor. High-performance analog circuit design requires a very detailed model of the transistor, describing accurately its static and dynamic behaviors, its noise and matching limitations and its temperature variations. The charge-based EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) MOS transistor model for IC design has been developed to provide a clear understanding of the device properties, without the use of complicated equations. All the static, dynamic, noise, non-quasi-static models are completely described in terms of the inversion charge at the source and at the drain taking advantage of the symmetry of the device. Thanks to its hierarchical structure, the model offers several coherent description levels, from basic hand calculation equations to complete computer simulation model. It is also compact, with a minimum number of process-dependant device parameters.

Written by its developers, this book provides a comprehensive treatment of the EKV charge-based model of the MOS transistor for the design and simulation of low-power analog and RF ICs. Clearly split into three parts, the authors systematically examine:

  • the basic long-channel intrinsic charge-based model, including all the fundamental aspects of the EKV MOST model such as the basic large-signal static model, the noise model, and a discussion of temperature effects and matching properties;
  • the extended charge-based model, presenting important information for understanding the operation of deep-submicron devices;
  • the high-frequency model, setting out a complete MOS transistor model required for designing RF CMOS integrated circuits.

Practising engineers and circuit designers in the semiconductor device and electronics systems industry will find this book a valuable guide to the modelling of MOS transistors for integrated circuits. It is also a useful reference for advanced students in electrical and computer engineering.

دانلود کتاب «مدل سازی ترانزیستور MOS مبتنی بر شارژ: مدل EKV برای طراحی آی سی کم مصرف و RF»

مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.

برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.

برچسب ها
مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.
کتابخانه دیجیتال بَلیان