دانلود کتاب Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation (به فارسی: ترانزیستورهای نانومقیاس: فیزیک دستگاه، مدل سازی و شبیه سازی) نوشته شده توسط «Mark Lundstrom – Jing Guo»
اطلاعات کتاب ترانزیستورهای نانومقیاس: فیزیک دستگاه، مدل سازی و شبیه سازی
موضوع اصلی: فیزیک
نوع: کتاب الکترونیکی
ناشر: Springer
نویسنده: Mark Lundstrom – Jing Guo
زبان: English
فرمت کتاب: djvu (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)
سال انتشار: 2005
تعداد صفحه: 222
حجم کتاب: 2 مگابایت
کد کتاب: 0387280022 , 9780387280028 , 9780387280035
نوبت چاپ: 1
توضیحات کتاب ترانزیستورهای نانومقیاس: فیزیک دستگاه، مدل سازی و شبیه سازی
مقیاس گذاری مداوم ترانزیستورها در نیمه قرن گذشته نیروی محرکه برای الکترونیک بوده است. طول کانال ترانزیستورهای در حال تولید امروز زیر 100 نانومتر است. طیف گسترده ای از دستگاه ها نیز برای تکمیل یا حتی جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مقیاس مولکولی در حال بررسی هستند. شباهت‌هایی بین ترانزیستورهای نانومقیاس و ترانزیستورهای میکرونی وجود دارد، اما نانوترانزیستورها نیز به شیوه‌های بسیار متفاوتی رفتار می‌کنند. به عنوان مثال، انتقال بالستیک و اثرات کوانتومی بسیار مهم تر می شوند. برای فشار دادن ماسفت ها به محدودیت های مقیاس بندی خود و کشف دستگاه هایی که ممکن است مکمل یا حتی جایگزین آنها در مقیاس مولکولی شوند، درک روشنی از فیزیک دستگاه در مقیاس نانومتری ضروری است.
این کتاب شرحی از توسعه اخیر ارائه می دهد. نظریه، مدل‌سازی و شبیه‌سازی نانوترانزیستورها برای مهندسان و دانشمندانی که بر روی دستگاه‌های مقیاس نانو کار می‌کنند. تصاویر فیزیکی ساده و مدل‌های نیمه تحلیلی، که با شبیه‌سازی‌های عددی دقیق تایید شده‌اند، برای نانوترانزیستورهای تکاملی و انقلابی ارائه شده‌اند.
The continuous scaling of transistors in the last half of century has been the driving force for electronics. The channel length of the transistors in production today is below 100nm. A wide variety of devices are also being explored to complement or even replace silicon transistors at molecular scales. Similarities between nanoscale and micronscale transistors exist, but nanotransistors also behave in drastically different ways. For example, ballistic transport and quantum effects become much more important. To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary.
The book provides a description of the recent development of theory, modeling, and simulation of nanotransistors for engineers and scientists working on nanoscale devices. Simple physical pictures and semi-analytical models, which were validated by detailed numerical simulations, are provided for both evolutionary and revolutionary nanotransistors.
دانلود کتاب «ترانزیستورهای نانومقیاس: فیزیک دستگاه، مدل سازی و شبیه سازی»
برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.