دانلود کتاب Ferroelectric Random Access Memories Fundamentals and Applications Topics in Applied Physics (به فارسی: مبانی و کاربردهای حافظه های دسترسی تصادفی فروالکتریک در فیزیک کاربردی) نوشته شده توسط «Hiroshi Ishiwara – Masanori Okuyama – Yoshihiro Arimoto»
اطلاعات کتاب مبانی و کاربردهای حافظه های دسترسی تصادفی فروالکتریک در فیزیک کاربردی
موضوع اصلی: فیزیک
نوع: کتاب الکترونیکی
ناشر: Springer
نویسنده: Hiroshi Ishiwara – Masanori Okuyama – Yoshihiro Arimoto
زبان: English
فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)
سال انتشار: 2004
تعداد صفحه: 298
حجم کتاب: 9 مگابایت
کد کتاب: 9783540407188 , 3-540-40718-9
نوبت چاپ: 1
توضیحات کتاب مبانی و کاربردهای حافظه های دسترسی تصادفی فروالکتریک در فیزیک کاربردی
در ساخت FeRAM ها، پیشینه های مختلف آکادمیک و فناوری لازم است که شامل مواد فروالکتریک، تشکیل لایه نازک، فیزیک دستگاه، طراحی مدار و غیره می شود. این کتاب از مبانی تا کاربردهای حافظه های دسترسی تصادفی فروالکتریک را پوشش می دهد. (FeRAM ها). این کتاب شامل 5 بخش است؛ (1) لایه‌های نازک فروالکتریک، (2) روش‌های رسوب‌گذاری و مشخص‌سازی، (3) فرآیند ساخت و طراحی مدار، (4) حافظه‌های نوع پیشرفته، و (5) کاربردها و چشم‌اندازهای آینده، و هر بخش در چندین فصل بیشتر توضیح داده شده است. . به دلیل گستردگی موضوعات مورد بحث، هر فصل از این کتاب توسط یکی از بهترین نویسندگانی نوشته شده است که موضوع خاص را به خوبی می داند. بنابراین، این کتاب معرفی خوب FeRAM برای دانشجویان فارغ التحصیل و تازه واردان در این زمینه است و همچنین به متخصصان کمک می کند تا FeRAM ها را عمیق تر درک کنند.
In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on.This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts; (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects, and each part is further devided in several chapters. Because of the wide range of the discussed topics, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introduction book of FeRAM for graduate students and new comers to this field, as well as it helps specialists to understand FeRAMs more deeply.
دانلود کتاب «مبانی و کاربردهای حافظه های دسترسی تصادفی فروالکتریک در فیزیک کاربردی»
برای دریافت کد تخفیف ۲۰ درصدی این کتاب، ابتدا صفحه اینستاگرام کازرون آنلاین (@kazerun.online ) را دنبال کنید. سپس، کلمه «بلیان» را در دایرکت ارسال کنید تا کد تخفیف به شما ارسال شود.