فیزیک

مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار

Compact transistor Modelling for circuit design

دانلود کتاب Compact transistor Modelling for circuit design (به فارسی: مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار) نوشته شده توسط «H. C. De Graaff – F. M. Klaassen»

اطلاعات کتاب مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار

موضوع اصلی: فیزیک

نوع: کتاب الکترونیکی

ناشر: Springer-Verlag

نویسنده: H. C. De Graaff – F. M. Klaassen

زبان: English

فرمت کتاب: pdf (قابل تبدیل به سایر فرمت ها)

سال انتشار: 1990

تعداد صفحه: 182

حجم کتاب: 43 مگابایت

کد کتاب: 0387821368 , 9780387821368

توضیحات کتاب مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار

این متن مدل های ترانزیستور فشرده تحلیلی را توصیف می کند که می توانند در برنامه های شبیه سازی مدار مانند SPICE استفاده شوند. این به خواننده آگاهی کامل از بسیاری از جنبه های مدل های فشرده را ارائه می دهد. کتاب با فیزیک دستگاه لازم شروع می شود: معادله حمل و نقل بولتزمن. معادله تداوم؛ معادله پواسون؛ و مدل سازی فیزیکی تحرک، نوترکیبی، باریک شدن شکاف باند، ضرب بهمن و نویز. سپس، یک درمان سیستماتیک از فرمول‌های تحلیلی که رفتار دستگاه را در موقعیت‌های DC، AC و گذرا توصیف می‌کنند برای هر دو دستگاه دوقطبی و MOST ارائه می‌شود. کتاب شامل مجموعه کاملی از معادلات مدل برای مدل های مختلف از جمله برخی مدل های جدید است و به مسائل عددی تداوم تحلیلی توجه ویژه ای شده است. فصل‌های جداگانه‌ای به تعیین پارامتر، وابستگی به دمای پارامتر، و همچنین ارتباط آن‌ها با متغیرهای فرآیند، همبستگی‌های آماری بین پارامترها، قوانین مقیاس‌گذاری برای دستگاه‌های زیر میکرون، اثرات دیواره جانبی و انگلی اختصاص دارد.

This text describes analytical compact transistor models that can be used in circuit simulation programs like SPICE. It provides the reader with a thorough knowledge of many aspects of compact models. The book starts with the necessary device physics: Boltzmann transport equation; continuity equation; Poisson equation; and physical modelling of mobility, recombination, bandgap narrowing, avalanche multiplication and noise. Then, a systematic treatment of the analytical formulas that describe the device behaviour in DC, AC and transient situations is given for both bipolar and MOST devices. The book contains complete sets of model equations for various models, including some new ones, and special attention is paid to the numerical problems of analytical continuity. Separate chapters are devoted to parameter determination, the parameter temperature dependence, as well as their relation to process variables, the statistical correlations between parameters, the scaling rules for submicron devices, the side-wall effects and the parasitics.

دانلود کتاب «مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار»

مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.
برچسب ها
مبلغی که بابت خرید کتاب می‌پردازیم به مراتب پایین‌تر از هزینه‌هایی است که در آینده بابت نخواندن آن خواهیم پرداخت.
کتابخانه دیجیتال بَلیان