Введение в теорию полупроводников (с закладками)

Из предисловия к первому изданию......Page 5 Предисловие ко второму изданию......Page 6 § 1. Простые и сложные кристаллические решетки......Page 8 § 2. Примеры конкретных кристаллических структур......Page 14 § 3. Прямая и обратная решетки кристалла......Page 19 § 4. Формулы Лауэ и Вульфа—Брэгга для дифракции рентгеновских лучей в кристалле. Атомный и структурный факторы рассеяния......Page 23 § 1. Введение......Page 29 § 2. Элементы абстрактной теории групп......Page 32 § 3. Точечные группы......Page 38 § 4. Группа трансляций. Сингонии (кристаллические системы) и решетки Браве......Page 47 § 5. Кристаллические классы. Пространственные группы......Page 54 § 6. Неприводимые представления групп и теория характеров......Page 63 § 7. Квантовая механика и теория групп......Page 78 § 8. Применение теории групп к исследованию расщепления уровней энергии примесного атома в кристалле и к классификации нормальных колебаний многоатомной молекулы......Page 85 § 9. Применение теории групп к трансляционной симметрии кристалла......Page 96 § 10. Правила отбора......Page 105 § 1. Природа сил взаимодействия атомов в кристалле......Page 109 § 2. Колебания и волны в простой одномерной (линейной) решетке......Page 118 § 3. Колебания и волны в сложной одномерной (линейной) решетке......Page 124 § 4. Нормальные координаты для простом одномерной решетки......Page 129 § 5. Колебания атомов трехмерной сложной кристаллической решетки......Page 132 § 6. Нормальные координаты колебаний кристаллической решетки......Page 144 § 7. Колебания простой кубической решетки......Page 150 § 8. Применение теории групп к исследованию нормальных колебаний кристаллической решетки......Page 156 § 9. Колебания и волны в кристаллах в приближении изотропного континуума......Page 165 § 10. Квантование колебаний кристаллической решетки. Фононы......Page 172 § 11. Теория теплоемкости кристаллической решетки......Page 177 § 12. Уравнение состояния твердого тела......Page 185 § 13. Тепловое расширение и теплопроводность твердого тела......Page 190 § 1. Общая постановка задачи. Адиабатическое приближение......Page 195 § 2. Метод Хартри—Фока......Page 198 § 3. Электрон в периодическом поле......Page 205 § 4. Понятие о положительных дырках почти заполненной валентной зоны......Page 216 § 5. Приближение почти свободных (слабо связанных) электронов......Page 220 § 6. Зоны Бриллюэна......Page 224 § 7. Приближение сильно связанных электронов......Page 230 § 8. Структура энергетических зон и симметрия волновых функций в простой кубической решетке и в кристалле сурмянистого индия......Page 245 § 9. Группы волнового вектора для решетки типа германия......Page 252 § 10. Спин-орбитальное взаимодействие и двойные группы......Page 257 § 11. Двойные группы в кристаллах InSb и Ge......Page 265 § 12. Спин-орбитальное расщепление в кристаллах InSb и Ge......Page 271 § 13. Исследование спектра электронов (дырок) вблизи минимума (максимума) энергии в зоне Бриллюэна (kp-метод)......Page 275 § 14. Симметрия, связанная с обращением времени......Page 290 § 15. Структура энергетических зон некоторых полупроводников......Page 298 § 1. Функции Ванье. Движение электрона в поле примеси......Page 303 § 2. Локализованные состояния электрона в неидеальной решетке......Page 310 § 3. Экситоны......Page 317 § 4. Поляроны......Page 324 § 1. Металлы, диэлектрики н полупроводники......Page 335 § 2. Статистическое равновесие свободных электронов в полупроводниках и металлах......Page 337 § 3. Теплоемкость свободных электронов в металлах и полупроводниках......Page 348 § 4. Магнитные свойства вещества. Парамагнетизм газов и электронов проводимости в металлах и полупроводниках......Page 351 § 5. Диамагнетизм атомов и электронов проводимости. Магнитные свойства полупроводников......Page 360 § 6. Циклотронный (диамагнитный) резонанс......Page 371 § 7. Контакт полупроводника с металлом. Выпрямление......Page 380 § 8. Свойства р—n-переходов......Page 386 § 9. Генерация и рекомбинация носителей тока. Квазиуровни Ферми......Page 393 § 1. Дисперсионные соотношения Крамерса—Кронига......Page 397 § 2. Межзонное поглощение света, связанное с прямыми переходами......Page 402 § 3. Межзонные непрямые переходы......Page 416 § 4. Поглощение света в полупроводниках свободными носителями......Page 426 § 5. Поляритоны......Page 427 § 6. Эффект вращения Фарадея......Page 431 § 7. Теория межзонного поглощения света в квантующем магнитном поле......Page 435 § 8. Поглощение света в полупроводниках в однородном электрическом поле (эффект Франца—Келдыша)......Page 444 § 1. Явления переноса и кинетическое уравнение Больцмана......Page 453 § 2. Кинетическое уравнение для электронов в кристалле......Page 462 § 3. Рассеяние электронов на акустических колебаниях решетки......Page 467 § 4. Время релаксации электронов проводимости в атомном полупроводнике и металле......Page 471 § 5. Теория деформационного потенциала в кубических кристаллах с простой зонной структурой......Page 475 § 6. Рассеяние электронов проводимости в ионных кристаллах на колебаниях решетки......Page 480 § 7. Рассеяние электронов проводимости на заряженных и нейтральных атомах примесей......Page 487 § 1. Введение......Page 493 § 2, Определение неравновесной функции для электронов проводимости в случае сферически-симметричной зоны......Page 496 § 3. Электропроводность невырожденных полупроводников с простой зонной структурой......Page 501 § 4. Термоэлектрические явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой......Page 505 § 5. Гальваномагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой......Page 512 § 6. Термомагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой......Page 519 § 7. Явления переноса в полупроводниках с простой зоной при произвольном вырождении......Page 526 § 8. Явления переноса в полупроводниках типа германия и кремния......Page 532 § 9. Явления переноса в полупроводниках со сферической непараболической зоной......Page 552 § 10. Эффект «фононного увлечения» в полупроводниках......Page 556 § 11. Квантовая теория гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках......Page 564 Приложения......Page 573