Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост: Учебник для вузов

ВВЕДЕНИЕ 1. ЭПИТАКСИЯ. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ 1.1. Составные части системы эпитаксиального роста 1.2. Классификация видов эпитаксии и их основные особенности 1.3. Эпитаксиальная подложка 1.3.1. Требования к подложке 1.3.2. Подготовка подложек 1.4. Контрольные вопросы 2. ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ И МЕХАНИЗМЫ ЭПИТАКСИИ 2.1. Гомогенный процесс 2.2. Гетерогенный процесс 2.3. Механизмы эпитаксиального роста 2.4. Контрольные вопросы 3. СТАДИИ ПРОЦЕССА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА 3.1. Массоперенос 3.2. Процессы массопереноса в жидкости и газе 3.3. Критерии подобия 3.4. Пограничные слои 3.5. Массоперенос в системе с твердой фазой 3.6. Адсорбция и десорбция 3.7. Изотерма адсорбции 3.8. Химические превращения 3.9. Эффективный порядок гетерогенных реакций 3.10. Сложение сопротивлений. Лимитирующая стадия процесса 3.11. Условие диффузионной стехиометрии 3.12. Контрольные вопросы 4. БИКРИСТАЛЛОГРАФИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ 4.1. Ориентационное соотношение 4.1.1. Элементарная ячейка кристалла 4.1.2. Понятие ориентационного соотношения 4.1.3. Концепции эпитаксиального роста. Критерии возникновения ориентационных соотношений 4.1.4. Использование алгебры линейных операторов для определения о. с. 4.2. Метрическое несоответствие 4.2.1. Источники напряжений 4.2.2. Расчет равновесной геометрии когерентной однослойной гетероструктуры 4.2.3. Релаксация упругих напряжений 4.3. Симметрийное несоответствие 4.3.1. Операции симметрии 4.3.2. Симметрия грани кристалла 4.3.3. Сохранение макросимметрии подложки 4.3.4. Наследование микросимметрии подложки 4.4. Иерархия необходимых условий для роста эпитаксиальных слоев 4.5. Контрольные вопросы 5. ОСНОВНЫЕ ВИДЫ ЭПИТАКСИИ 5.1. Твердофазная эпитаксия 5.2. Жидкофазная эпитаксия 5.3. Эпитаксия из газовой фазы 5.3.1. Методы химического осаждения из газовой фазы 5.3.2. Классификация методов химического осаждения из газовой фазы 5.3.3. Типы используемых реакторов 5.3.4. Источники элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений 5.3.5. Химические реакции в системе 5.3.6. МОС-гидридный метод эпитаксиального роста 5.3.7. Метод выращивания алмазных пленок методом ХОГФ с использованием СВЧ-плазмы 5.3.8. Метод сублимации-конденсации 5.4. Контрольные вопросы 6. ЭПИТАКСИЯ В ВАКУУМЕ 6.1. Вакуумные методы нанесения тонких пленок 6.1.1. Термическое вакуумное напыление 6.1.2. Теория процесса вакуумного испарения 6.1.3. Вакуумно-напылительные установки 6.1.4. Электронно-лучевое испарение 6.2. Методы ионного распыления 6.2.1. Основные сведения о методе ионного распыления 6.2.2. Методы ионно-плазменного распыления 6.3. Молекулярно-пучковая эпитаксия 6.3.1. Аппаратное оформление метода 6.3.2. Источники молекулярных пучков 6.3.3. In-situ характеризация растущих эпитаксиальных слоев 6.3.4. Модельные представления описания процесса МПЭ 6.3.5. Синтез приборных структур методом МПЭ и его перспективы 6.4. Контрольные вопросы ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ А. Свойства соединений А3В5, широкозонных полупроводников и халькогенидов свинца Б. Термодинамические данные для соединений А3В5 СЛОВАРЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ТЕХНИЧЕСКИХ ТЕРМИНОВ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ