Transistoren : Physikalische Grundlagen und Eigenschaften

Als vor nunmehr rd. 15 Jahren das Transistorprinzip bekannt wurde, ahnte wohl niemand die technische Tragweite dieser Entdeckung. In der Zwischenzeit stiegen die Produktions­ zahlen dieser Bauelemente von Jahr zu Jahr. Allein in. r apan erwartete man für 1964 etwa 300 Millionen Transistoren. Das ist um so bemerkenswerter, als der Transistor von Anfang an keine sehr günstige Startbasis hatte, denn die ersten Spitzentransistoren waren keine besonders zuverlässigen Bauelemente. In der Zwischenzeit wurde und wird noch in vielen Laboratorien unentwegt gearbeitet, um aus dem "aus der Physik der Dreckeffekte" hervor_ gegangenen Bauelement ein solches ho her Zuverlässigkeit und möglichst flexibler elektrischer Eigenschaften zu erhalten. Darüber hinaus wurde der Transistor zum Keim einer neuen Technik, der Mikroelektronik, die zweifelsohne das Gepräge der Schaltungstechnik in nicht allzu ferner Zeit verschieben wird. Die in der Vergangenheit durchlaufene Entwicklung des Transistors geschah in starkem Maße unter Beibehaltung des Minoritätssteuerprinzips und ist durch die Etappen: Flüchen­ transistor mit homogener Basis, Drift-, Mesa-, Epitaxial-und Plan ar transistor gekennzeich­ net. Es kann bereits heute als wahrscheinlich gelten, daß diese Konstruktionen gewisse Voll­ kommenheit besitzen und die Grenzen der Entwicklung abzusehen sind, falls nicht bisher unbekannte Effekte Verlagerungen bringen. Gewiß werden sich durch Anwendung neuer Materialien und sonstige Verbesserungen neue Typen mit besseren Kennwerten und Eigen­ schaften herstellen lassen, doch an der prinzipiellen Wirkungsweise wird sich wenig ändern. Front Matter....Pages 1-18 Leitungsmechanismus im Halbleiter....Pages 19-31 Das gestörte thermodynamische Gleichgewicht....Pages 32-40 pn-Übergang....Pages 40-84 Diffusionstransistor. Statisches Verhalten....Pages 84-103 Dynamisches Verhalten des Diffusionstransistors....Pages 103-116 Drifttransistor....Pages 116-130 Der äußere Transistor....Pages 130-135 Besondere physikalische Effekte....Pages 135-164 Technische Ausführungsformen von Flächentransistoren....Pages 164-188 Front Matter....Pages 189-190 Statisches Verhalten (Kennliniendarstellungen)....Pages 191-213 Abgrenzung des ausnutzbaren Kennlinienbereichs....Pages 213-229 Lineare Eigenschaften des Transistors....Pages 229-250 Vierpolkennwerte bei tiefen Frequenzen....Pages 250-269 Frequenzverhalten....Pages 269-281 Ersatzschaltungen....Pages 281-309 Grenzfrequenzen. Zeitkonstanten....Pages 309-329 Praktische Erfassung der Frequenzabhängigkeit der äußeren Vierpolkennwerte....Pages 329-353 Impuls- und Schalterbetrieb....Pages 353-387 Rauschen....Pages 387-413 Thermische Probleme bei Transistoren....Pages 413-442 Front Matter....Pages 189-190 Thermische Stabilität und Stabilisierung....Pages 442-461 Back Matter....Pages 461-510