Создание тонких кремниевых пленок путем испарения мощным ионным пучком при низких температурах

Литературный перевод. Preparation of silicon thin films by intense pulsed ion-beam evaporation method with low temperature process. Elseiver. Surface and Coatings Technology 201 (2007) 4961–4964 Мы получили тонкие поликристаллические пленки кремния без примесей на кремниевых и кварцевых подложках путем испарения мощным ионным пучком. Мы достигли хорошей кристаллизации при высоких скоростях охлаждения в отсутствии термических процессов, таких как нагрев подложки. Поликристаллические кремниевые пленки получались при увеличении плотности аблированной плазмы. При воздействии мощного ионного пучка с длительностью 50 нс время жизни аблированной плазмы около 20 мкс, мгновенная скорость осаждения ~ см/с. Плоикристалличность увеличивается с увеличивается с увеличением количества импульсов. Были исследованы кристаллизация и скорости осаждения поликристаллических кремниевых пленок на различные подложки.