Применение высокочастотного короткоимпульсного потенциала смещения для ионно-лучевой и плазменной обработки проводящих и диэлектрических материалов

Статья. Опубликована в Известия Томского политехнического университета. 2010, Т. 316, No 4, С.86 - 89. Приведены результаты исследований применимости метода высокочастотной короткоимпульсной плазменно-иммерсионной ионной имплантации и/или осаждения покрытий с использованием вакуумно-дуговой и абляционной плазмы к проводящим и диэлектрическим подложкам. Показано, что ионная имплантация с компенсацией ионного распыления осаждением покрытия из плазмы и ионно-ассистированное осаждение покрытия могут быть реализованы для металлических и диэлектрических образцов посредством изменения отрицательного потенциала смещения в диапазоне 0.4 кВ при частоте повторения импульсов (2.4,4).10 5 имп/с, длительности импульса 0,5.2 мкс и коэффициенте заполнения импульсов 0,1.0, 9. Экспериментально установлено, что при осаждении покрытий из абляционной плазмы, полученной воздействием высокоинтенсивного ионного пучка длительностью 90 нс, с плотностью тока 3.10 –2 А/м2 и энергией ионов 350 кэВ на мишень, микродуговые явления на поверхности подложки наблюдаются при постоянном потенциале смещения более –60 В. Переход на импульсы длительностью 0,5 мкс позволил увеличить потенциал смещения до –4 кВ. Обсуждается возможность применения высокочастотных, короткоимпульсных потенциалов смещения для формирования покрытий из вакуумно-дуговой и абляционной плазмы с высокой адгезионной прочностью и улучшенными эксплуатационными характеристиками.