Полупроводниковые приборы: Учебное пособие для вузов

Предисловие Введение Глава 1. Основные сведения по физике полупроводников § 1.1. Энергетические зоны полупроводников § 1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда § 1.3. Концентрация носителей заряда в полупроводнике при термодинамическом равновесии § 1.4. Собственные полупроводники § 1.5. Примесные полупроводники § 1.6. Время жизни неравновесных носителей заряда § 1.7. Процессы переноса зарядов в полупроводниках § 1.8. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми § 1.9. Температурные зависимости подвижности носителей заряда и удельной проводимости § 1.10. Полупроводники в сильных электрических полях § 1.11. Оптические свойства полупроводников § 1.12. Фотоэлектрические явления в полупроводниках § 1.13. Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои § 1.14. Поверхностная рекомбинация . § 1.15. Проводимость канала поверхностной электроводности Глава 2 Контактные явления § 2.1. Электронно-дырочный переход § 2.2. Токи через электронно-дырочный переход § 2.3. Концентрация неосновных носителей заряда у границ электронно-дырочного перехода § 2.4. Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов § 2.5. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в электронно-дырочном переходе § 2.6 Аналитический расчет резкого электронно-дырочного перехода § 2.7. Аналитический расчет плавного электронно-дырочного перехода с линейным распределением концентрации примесей § 2.8. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода § 2.9. Омический переход на контакте полупроводников с одним типом электропроводности § 2.10. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником § 2.11. Гетеропереходы § 2.12. Свойства и параметры омических переходов Глава 3 Полупроводниковые диоды § 3.1. Структура и основные элементы § 3.2. Вольт-амперная характеристика диода при инжекции и экстракции носителей заряда § 3.3. Расчет распределения неосновных носителей заряда в базе диода § 3.4. Расчет постоянных токов, проходящих через диод и связанных с инжекцией и экстракцией носителей заряда § 3.5. Частные случаи расчета распределения неосновных носителей заряда и тока насыщения § 3.6. Расчет переменных токов и полной проводимости диода § 3.7. Графики частотных зависимостей параметров диода § 3.8. Физический смысл параметров диода § 3.9. Пределы применимости частных случаев расчета параметров диода § 3.10. Генерация и рекомбинация носителей заряда в электронно-дырочном переходе § 3.11. Лавинный пробой § 3.12. Туннельный пробой § 3.13. Тепловой пробой § 3.14. Влияние поверхностных состояний на вольт-амперную характеристику диода § 3.15. Процессы в диодах при больших прямых токах § 3.16. Расчет вольт-амперной характеристики диода при больших прямых токах § 3.17. Вольт-амперная характеристика диода в полулогарифмических координатах § 3.18. Переходные процессы в диодах § 3.19. Выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды § 3.20. Селеновые выпрямители § 3.21. Импульсные диоды § 3.22. Диоды Шотки § 3.23. Диоды с резким восстановлением обратного сопротивления § 3.24. Сверхвысокочастотные диоды § 3.25. Стабилитроны § 3.26. Стабисторы § 3.27. Шумовые диоды § 3.28. Лавинно пролетные диоды § 3.29. Туннельные диоды § 3.30. Обращенные диоды § 3.31. Варикапы § 3.32. Надежность диодов Глава 4 Биполярные транзисторы §4.1. Структура и основные режимы работы §4.2. Распределение стационарных потоков носителей заряда § 4.3. Распределение носителей заряда § 4.4. Постоянные токи при активном режиме §4.5. Явления в транзисторах при больших токах § 4.6. Статические параметры §4.7. Пробой транзисторов §4.8. Статические характеристики § 4.9. Работа транзистора на малом переменном сигнале § 4.10. Малосигнальные параметры § 4.11. Эквивалентные схемы § 4.12. Эквивалентная схема одномерной теоретической модели § 4.13. Барьерные емкости переходов и сопротивление базы § 4.14. Частотные характеристики § 4.15. Работа транзистора на малом переменном сигнале § 4.16. Шумы в транзисторах § 4.17. Технология изготовления и конструкция биполярных транзисторов § 4.18. Однопереходные транзисторы § 4.19. Надежность транзисторов Глава 5. Тиристоры §5.1. Диодные тиристоры §5.2. Диодный тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом § 5.3. Триодные тиристоры § 5.4. Тиристоры, проводящие в обратном направлении § 5.5. Симметричные тиристоры § 5.6. Способы управления тиристорами §5.7. Конструкция и технология изготовления тиристоров Глава 6. Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью §6.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом §6.2. Расчет выходных статических характеристик полевого транзистора с управляющим переходом § 6.3. Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим переходом § 6.4. Частотные свойства полевых транзисторов с управляющим переходом § 6.5. Полевые транзисторы с изолированным затвором § 6.6. Расчет выходных статических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором § 6.7. Параметры и свойства полевых транзисторов с изолированным затвором § 6.8. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью § 6.9. Разновидности приборов с зарядовой связью Глава 7 Интегральные микросхемы § 7.1. Задачи и принципы микроэлектроники §7.2. Классификация интегральных микросхем §7.3. Методы изоляции элементов интегральных микросхем § 7.4. Активные элементы § 7.5. Пассивные элементы Глава 8. Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов § 8.1. Принцип действия генераторов Ганна § 8.2. Технология изготовления генераторов Ганна § 8.3. Параметры и свойства генераторов Ганна § 8.4. Генераторы с ограничением накопления объемного заряда Глава 9. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы § 9.1. Классификация оптоэлектронных полупроводниковых приборов § 9.2. Полупроводниковые приборы отображения информации и инфракрасные излучающие диоды § 9.3. Электролюминесцентные порошковые излучатели § 9.4. Электролюминесцентные пленочные излучатели § 9.5. Лазеры § 9.6. Фоторезисторы § 9.7. Фотодиоды § 9.8. Полупроводниковые фотоэлементы § 9.9. Фототранзисторы и фототиристоры § 9.10. Приемники проникающей радиации и корпускулярно преобразовательные приборы § 9.11. Оптопары и оптоэлектронные микросхемы Глава 10. Терморезисторы § 10.1. Термисторы прямого подогрева § 10.2. Болометры § 10.3. Термисторы косвенного подогрева § 10.4. Позисторы Глава 11. Варисторы § 11.1. Принцип действия варисторов из карбида кремния § 11.2. Характеристики § 11.3. Варисторы из оксидных полупроводников Глава 12. Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках § 12.1. Переключатели на аморфных полупроводниках § 12.2. Элементы памяти на аморфных полупроводниках § 12.3. Надежность, стабильность и срок службы приборов на аморфных полупроводниках Глава 13. Полупроводниковые термоэлектрические устройства § 13.1. Конструкция и принцип действия § 13.2. Термоэлектрические генераторы § 13.3. Холодильники и тепловые насосы Глава 14. Полупроводниковые гальваномагнитные приборы § 14.1. Принцип действия § 14.2. Преобразователи Холла § 14.3. Магниторезисторы § 14.4. Магнитодиоды и магнитотранзисторы Заключение Список рекомендуемой литературы Обозначения основных величин, принятые в книге Условные графические обозначения основных полупроводниковых приборов в схемах Универсальные физические постоянные Предметный указатель