Определение с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии окисления частиц Si сформированных при абляции мощным ионным пучком

Литературный перевод. X-ray photoelectron spectroscopy characterization of oxidated Si particles formed by pulsed ion-beam ablation. Elseiver. Applied Surface Science 252 (2006) 5776–5782 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС) использовалась для исследования состояния окисления частиц Si осажденных с использованием метода испарения при помощи мощного ионного пучка. Также изучалось влияние наличия He в окружающей атмосфере, интенсивности ионного пучка и последующей обработки на состав оксидов и содержания в них кислорода. Обнаружено, что наличие He приводит к более глубокому окислению частиц Si по сравнению с абляцией в вакууме при той те энергии ионного пучка, т.е. увеличивается и содержание SiO2 и содержание кислорода в оксидном покрытии. Осаждение в среде He приводит в результате к увеличению концентрации кислорода даже при низкой энергии абляции, но также увеличивается и концентрация недокиси. Это показывает, что реакция между Si и O контролируется мощностью ионного пучка (температура плазмы Si) и окружающим газом (вероятность столкновения частиц Si и O). Различия в структуре оксидных слоев на образцах полученных при различных условиях объясняются, основываясь на результатах РФС.