Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику
معرفی کتاب «Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику» نوشتهٔ Вьюрков В.В., Гридчин В.А., Драгунов В.П.، منتشرشده توسط نشر МГТУ им. Н.Э.Баумана در سال 2009. این کتاب در فرمت djvu، زبان ru ارائه شده است.
Межатомные связи......Page 5 Структура кристаллов......Page 27 Дефекты кристаллической структуры. Аморфные и поликриcталлические тела......Page 44 О системах частиц в твердых телах......Page 62 Движение частиц в периодических потенциальных рельефах......Page 73 Зонная структура кристаллов......Page 82 Движение электронов под действием внешних сил в кристалле......Page 88 Статистика носителей заряд и электронные свойства твердых тел......Page 94 О простейших моделях тепловых колебаний......Page 115 Фононы: законы дисперсии и статистика......Page 122 Квазичастицы в твердом теле......Page 131 Закономерности взаимодействия частиц и квазичастиц......Page 141 Описание неравновесных процессов. Кинетическое уравнение и введение в формальную теорию процессов переноса......Page 166 Механизмы рассеяния носителей зарядов......Page 174 Электропроводность......Page 205 Теплопроводность твердых тел......Page 216 Термоэлектрические, гальваномагнитные и термомагнитные явления......Page 223 Процессы переноса в аморфных материалах......Page 232 О взаимодействии электромагнитного поля и среды......Page 238 Диэлектрические свойства......Page 241 Оптические свойства твердотельных структур......Page 246 Оптическое поглощение и фотопроводимость в полупроводниках. .......Page 259 Структура и потенциальный рельеф границы кристаллов......Page 279 Контактные явления. Контактная разность потенциалов, поле пятен, барьер Шоттки, р-n-переход......Page 289 Полупроводниковые гетероструктуры......Page 311 Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке......Page 325 Потенциальный барьер конечной ширины......Page 331 Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц......Page 332 Частица в прямоугольной потенциальной яме......Page 335 Особенности движения частиц над потенциальной ямой......Page 340 Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме......Page 341 Энергетический спектр и волновые функции линейного, плоского и сферического осциллятора......Page 346 Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме сложной формы......Page 350 Структура со сдвоенной квантовой ямой......Page 355 Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры......Page 359 Энергетический спектр сверхрешеток......Page 366 Классификация полупроводниковых сверхрешеток......Page 370 Низкоразмерные системы с цилиндрической и сферической симметрией......Page 382 Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр бесконечной прямоугольной потенциапьной ямы......Page 388 Оценка смещения энергетических уровней под действием электрического поля в прямоугольной КЯ конечной глубины......Page 393 Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр параболической потенциальной ямы......Page 396 Интерференционная передислокация электронной плотности в туннельно-связанных квантовых ямах......Page 398 Потенциальная ступенька в однородном электрическом поле......Page 402 Прохождение частиц через двухбарьерную структуру в электрическом поле......Page 405 Влияние однородного электрического поля на двухэлектронные состояния в двойной квантовой точке......Page 409 Энергетический спектр сверхрешетки из квантовых точек в постоянном электрическом поле......Page 414 Особенности распределения плотности состояний в 2D-системах.......Page 417 Зависимость положения уровня Ферми от концентрации и толщины пленки для ID-систем......Page 424 Распределение плотности состояний в квантовых проволоках и квантовых точках......Page 427 Влияние дополнительного пространственного ограничения на энергетический спектр связанных состояний в одномерной потенциальной яме......Page 431 Энергетический спектр мелких примесных состояний в системах пониженной размерности......Page 434 Влияние размерного квантования на состояния мелкого экситона......Page 440 Энергетический спектр полупроводниковых пленок типа n-GaAs......Page 445 Энергетический спектр электронов в размерно-квантованных пленках Ge u Si......Page 453 Энергетический спектр в полупроводниковых пленках с вырожденными зонами......Page 457 Энергетический спектр в квантовой точке с параболическим удерживающим потенциалом......Page 469 Приповерхностная область пространственного заряда......Page 472 Уравнение Пуассона......Page 477 Разновидности ОПЗ......Page 480 Решение уравнения Пуассона......Page 482 Поверхностное квантование......Page 484 Особенности экранирования электрического поля в квантовых проволоках......Page 495 Квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе......Page 498 Эксперименты с двумерным электронным газом......Page 499 Энергетический спектр электронов в постоянном однородном магнитном поле......Page 502 Проводимость двумерного электронного газа......Page 509 Дробный квантовый эффект Холла......Page 518 Особенности фононного спектра......Page 532 Свертка ветвей акустических фононов......Page 537 Локализация фононов......Page 541 Интерфейсные фононы......Page 543 Стационарная дрейфовая скорость......Page 547 Всплеск во времени дрейфовой скорости при воздействии электрического поля......Page 554 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах......Page 557 Подвижность электронов в системах с селективным легированием......Page 560 Эффект Ааронова-Бома......Page 565 Туннелирование через двухбарьерную структуру с квантовой ямой......Page 569 Вольт-амперная характеристика многослойных структур......Page 576 Экспериментальное исследование вольт-амперных характеристик двухбарьерных квантовых структур......Page 577 Диапазон рабочих частот двухбарьерной квантовой структуры......Page 582 Проблемы одноэлектроники......Page 593 Теоретические основы одноэлектроники......Page 594 Реализация одноэлектронных приборов......Page 602 Применение одноэлектронных приборов......Page 620 Введение......Page 626 МДП-транзисторы на объемной подложке......Page 628 Эволюция МДП транзистора.......Page 630 Короткоканальные эффекты в полевых транзисторах......Page 634 КНИ-транзисторы и их преимущества......Page 635 Сравнение КНИ-транзистора с альтернативными приборами......Page 636 Эволюция моделей МДП-транзисторов......Page 643 Основные квантовые эффекты в полевых нанотранзисторах......Page 644 Обзор квантовых методов моделирования нанотранзисторов......Page 647 Эффективный метод решения задачи рассеяния для уравнения Шредингера......Page 651 Результаты моделирования......Page 658 Введение......Page 661 Твердотельные квантовые компьютеры на ядерных спинах......Page 669 Квантовые компьютеры на сверхпроводниковых квантовых элементах......Page 680 Квантовые компьютеры на электронных состояниях донорных атомов и квантовых точек в полупроводниковых структурах......Page 687 Квантовые компьютеры на ионах в твердотельных ловушках......Page 693 Квантовые компьютеры на спиновых состояниях электронов, плавающих в слое жидкого гелия......Page 708 Список рекомендуемой литературы......Page 712
دانلود کتاب Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику