Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур: учебное пособие для вузов
معرفی کتاب «Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур: учебное пособие для вузов» نوشتهٔ Воронов Ю.А., Касков С.Ю., Мочалкина О.Р.، منتشرشده توسط نشر Национальный исследовательский ядерный университет «Московский инженерно-физический институт» در سال 2012. این کتاب در فرمت pdf، زبان ru ارائه شده است.
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике.;Гриф:Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии» в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений
دانلود کتاب Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур: учебное пособие для вузов