Математическое моделирование: учебное пособие : для студентов, обучающихся по направлению Электроника и наноэлектроника

Front pagе 2 Министерство образования и науки Российской Федерации С. Е. Биркган Математическое моделирование Оглавление, введение, Часть 1 (Gray) Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Моделирование в задачах микро- и наноэлектроники . . . . . . . . . . . . . . . 7 Моделирование в задачах микро- и наноэлектроники Моделирование взаимодействия ионов с поверхностью Уравнение Больцмана. Как уже было сказано, для описания процесса распыления поверхности под воздействием ионного облучения в настоящее время используется несколько моделей, которые можно рассматривать как следствия уравнения переноса. Это уравнение, ... среднее количество атомов, движущихся в момент времени t в слое ,x,dx. со скоростью из интервала ,,v-0.,,d-3.,v-0... Тогда число атомов с такими скоростями, проходящими через плоскость x, лежащую внутри мишени, за время dt равно Часть 2. Моделирование ЦОС Back page