Карбид кремния: технология, свойства, применение

Харьков: «ИСМА». 2010. - 532 с. Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по методам выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок SiC, а также карбидкремниевой керамики. Опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах авторы рассматривают дефектообразование в SiC, роль дислокаций в процессах деградации р-п переходов и диодов Шоттки. Значительное место в монографии уделено фрагментам технологии карбидкремниевых приборных структур: окислению SiC и формированию омических и барьерных контактов. Представлены данные о структуре и параметрах карбидкремниевых микроволновых диодов, а также рассмотрены различные области применения SiC и карбидкремниевой керамики. Содержание: Методы получения полупроводникового SIC -Выращивание полупроводниковых монокристаллов методом сублимации -Физико-химические основы метода сублимации -Сопутствующие процессы, определяющие условия роста карбида кремния -Образование дефектов в карбиде кремния при росте из паровой фазы -Выращивание эпитаксиальных слоев и кристаллов методом парофазного химического осаждения -Выращивание эпитаксиальных слоев и кристаллов из растворов—расплавов -Методы нанесения тонких пленок SiC -Параметры и свойства примесей и дефектов в карбиде кремния -Методы получения и особенности применения керамики на основе SiC Термическое и фотонностимулированное окисление SIC Особенности формирования и термостабильность контактов металл - карбид кремния -Барьерные контакты -Омические контакты к SiC Микроволновые карбидкремниевые диоды Электрическая активность дислокаций в SIC р-п переходах и диодах Шоттки