Химические и фазовые равновесия в технологии материалов электронной техники

Учеб. пособие. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". – 2005. – 84 с. – ISBN 5-7629-0684-2ч/б скан 600 dpi, OCR. Рассмотрены физико-химические аспекты технологии материалов электронной техники, детально изложены некоторые разделы термодинамики химических и фазовых равновесий, которые служат основой технологии получения материалов и структур электронной техники с заданными составом и свойствами.Предназначено для проведения занятий и выполнения курсовой работы по дисциплине: "Физико-химические основы технологии материалов и изделий электронной техники" для студентов 3 и 4 курсов, обучающихся по специальностям 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 071400 "Физическая электроника", 200300 "Электронные приборы и устройства" и 201900 "Микросистемная техника", по направлению 654100 "Электроника и микроэлектроника", а также для магистрантов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области твердотельной электроники. **ОглавлениеВведениеОсновные положения и особенности химической термодинамикиФизико-химическое управление свойствами полупроводниковых фаз переменного состава**__Модели точечных дефектов в соединениях АВКвазихимическое описание процессов образования и ионизации точечных дефектов с учетом равновесия твердая фаза - парРешение системы уравнений, связывающих константы равновесия квазихимических реакцийРасчет граничных значений давлений пара компонентовРасчет и построение зависимостей концентрации точечных дефектов и носителей заряда от давления пара и температурыР-Т-х-диаграммы состояния и их применение для определения термодинамических условий получения фазы АВ с заданными свойствамиПрименение Р-Т-х-диаграммы для определения энергии активации квазихимических процессовОпределение природы доминирующих дефектов в некоторых соединениях АВ__**Термодинамический анализ условий получения полупроводниковых материалов с заданными типом и концентрацией носителей заряда из газовой фазы**__Термодинамический анализ физико-химического процессаТермодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов и носителей заряда в полупроводниковых фазах переменного состава__**Анализ процессов окисления полупроводниковых соединений методом построения диаграмм парциальных давлений**__Метод диаграмм парциальных давлений и его возможностиПорядок построения диаграммы парциальных давлений (ДПД) в системе А-В-ОПостроение диаграмм парциальных давлений в системе Sn-Te-O для различных температур__**Фазовые равновесия в гетерогенных системах**__Общие условия фазового равновесия в гетерогенных системахФазовые равновесия в однокомпонентных системахФазовые равновесия в многокомпонентных системах__**Термодинамическое обоснование основных типов диаграмм состояния**__Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов в жидкой и твердой фазахДиаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентовДиаграммы состояния с химическим соединением__**ЗаключениеСписок литературы** Учеб. пособие. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". – 2005. – 84 с. – ISBN 5-7629-0684-2 ч/б скан 600 dpi, OCR. Рассмотрены физико-химические аспекты технологии материалов электронной техники, детально изложены некоторые разделы термодинамики химических и фазовых равновесий, которые служат основой технологии получения материалов и структур электронной техники с заданными составом и свойствами. Предназначено для проведения занятий и выполнения курсовой работы по дисциплине: "Физико-химические основы технологии материалов и изделий электронной техники" для студентов 3 и 4 курсов, обучающихся по специальностям 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 071400 "Физическая электроника", 200300 "Электронные приборы и устройства" и 201900 "Микросистемная техника", по направлению 654100 "Электроника и микроэлектроника", а также для магистрантов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области твердотельной электроники. Оглавление Введение Основные положения и особенности химической термодинамики Физико-химическое управление свойствами полупроводниковых фаз переменного состава Модели точечных дефектов в соединениях АВ Квазихимическое описание процессов образования и ионизации точечных дефектов с учетом равновесия твердая фаза - пар Решение системы уравнений, связывающих константы равновесия квазихимических реакций Расчет граничных значений давлений пара компонентов Расчет и построение зависимостей концентрации точечных дефектов и носителей заряда от давления пара и температуры Р-Т-х-диаграммы состояния и их применение для определения термодинамических условий получения фазы АВ с заданными свойствами Применение Р-Т-х-диаграммы для определения энергии активации квазихимических процессов Определение природы доминирующих дефектов в некоторых соединениях АВ Термодинамический анализ условий получения полупроводниковых материалов с заданными типом и концентрацией носителей заряда из газовой фазы Термодинамический анализ физико-химического процесса Термодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов и носителей заряда в полупроводниковых фазах переменного состава Анализ процессов окисления полупроводниковых соединений методом построения диаграмм парциальных давлений Метод диаграмм парциальных давлений и его возможности Порядок построения диаграммы парциальных давлений (ДПД) в системе А-В-О Построение диаграмм парциальных давлений в системе Sn-Te-O для различных температур Фазовые равновесия в гетерогенных системах Общие условия фазового равновесия в гетерогенных системах Фазовые равновесия в однокомпонентных системах Фазовые равновесия в многокомпонентных системах Термодинамическое обоснование основных типов диаграмм состояния Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов в жидкой и твердой фазах Диаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентов Диаграммы состояния с химическим соединением Заключение Список литературы