Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение

Александрова О.А., Максимов А.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Под ред. В. А. Мошникова. - СПб.: Технолит, 2008. - 240 с. - ISBN 5-7629-0908-5 Монография подготовлена в рамках выполнения инновационного образовательного проекта СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) "Программа подготовки специалистов для приоритетных высокотехнологичных отраслей инновационной экономики страны". Рассмотрены особенности формирования халькогенидов элементов IV группы. Отражены результаты исследований физико-химических и электрофизических свойств полупроводниковых фаз на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы. Приведены особенности формирования нанофаз в этих материалах при создании приборов и структур, а также отражена специфика их применения в современной микро- и наноэлеткронике. Предназначено специалистам, работающим в областях твердотельной электроники, микро- и наноэлеткроники, микро- и наносистемной техники, сенсорики, а также может быть полезно аспирантам и студентам направлений "Электроника и микроэлектроника" и "Нанотехнология". Подготовлено в рамках инновационной магистерской программы "Физика и технология нано- и микросистем" Общие теоретические представления о фазах переменного состава Историческая справка Основы физико-химического анализа Прогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системах Кристаллохимическое приближение фаз переменного состава Границы применимости модельных представлений Концепция полупроводниковых гетероструктур в современном материаловедении О классе сильнонестехиометрических соединений Особенности физических свойств халькогенидов свинца и олова и их примение для ИК-техники Эффект инверсии зон в твердых растворах на основе полупроводников А2В6 и А4В6 Сравнение свойств узкозонных полупроводников А2В6 и А4В6 Кристаллическая структура и электрофизические свойства узкозонных полупроводников А4В6 и твердых растворов на их основе Иижекционные лазеры на квантово-размерных структурах Научные и технические применения устройств на основе халькогенидов элементов IV группы Локальная метрика состава твердых растворов на основе халькогенидов свинца Рентгеноснектральный микроанализ Рентгеноснектральный микроанализ полупроводниковых твердых растворов методом Монте-Карло Нестационарный термозондовый метод как локальный метод анализа электрофизических свойств ПТР Метрологические характеристики НТМ Анализ концентрационной зависимости коэффициента термо-ЭДС Методика анализа состава нанофаз методом внутреннего трения Управление типом и концентрацией собственных точечных дефектов структуры и свободных носителей заряда в кристаллических фазах Тепловое разупорядочение в кристаллах Исследование термодинамических и кинетических условий образования и диффузии собственных точечных дефектов в твердых растворах Pb1-xSnxTe Изменение концентрации носителей заряда внутри области гомогенности в зависимости от условий термообработки кристаллов Основные соотношения, описывающие равновесие собственных дефектов в кристаллах (Pb1-xSnx)1-yТey с паром Расчет диаграммы P-T-концентрация носителей заряда для системы Pb-Sn-Te Определение параметров диффузионных отжигов Влияние диффузии СДТС на свойства слоев Pb1-xSnxTe, полученных методами жидкофазной и газофазной эпитаксии Моделирование условий выращивания p-n-структур методом жидкофазной эпитаксии Моделирование условий выращивания p-n-структур методом газофазной эпитаксии Нанопорошки и наноструктурированные поликристаллические материалы на основе халькогенидов свинца и олова Йодидный метод синтеза халькогенидов элементов IV группы Модель самолегирования SnTe оловом при йодидном методе получения Физико-химические основы наноструктурирования поликристаллических слоев халькогенидов свинца Получение и исследование наноструктурированных поли кристаллических слоев на основе PbSe для целей ИК-оптоэлектроники Влияние примесей на кинетику термического окисления поликристаллических слоев PbSe и электрофизические свойства этих слоев Сканированая копия 200dpi. Александрова О.А., Максимов А.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б.Под ред. В. А. Мошникова. - СПб.: Технолит, 2008. - 240 с. - ISBN 5-7629-0908-5 Монография подготовлена в рамках выполнения инновационного образовательного проекта СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) "Программа подготовки специалистов для приоритетных высокотехнологичных отраслей инновационной экономики страны".Рассмотрены особенности формирования халькогенидов элементов IV группы. Отражены результаты исследований физико-химических и электрофизических свойств полупроводниковых фаз на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы. Приведены особенности формирования нанофаз в этих материалах при создании приборов и структур, а также отражена специфика их применения в современной микро- и наноэлеткронике.Предназначено специалистам, работающим в областях твердотельной электроники, микро- и наноэлеткроники, микро- и наносистемной техники, сенсорики, а также может быть полезно аспирантам и студентам направлений "Электроника и микроэлектроника" и "Нанотехнология".Подготовлено в рамках инновационной магистерской программы "Физика и технология нано- и микросистем" __Общие теоретические представления о фазах переменного состава__Историческая справкаОсновы физико-химического анализаПрогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системахКристаллохимическое приближение фаз переменного составаГраницы применимости модельных представленийКонцепция полупроводниковых гетероструктур в современном материаловеденииО классе сильнонестехиометрических соединений __Особенности физических свойств халькогенидов свинца и олова и их примение для ИК-техники__Эффект инверсии зон в твердых растворах на основе полупроводников А2В6 и А4В6Сравнение свойств узкозонных полупроводников А2В6 и А4В6Кристаллическая структура и электрофизические свойства узкозонных полупроводников А4В6 и твердых растворовна их основе Иижекционные лазеры на квантово-размерных структурах Научные и технические применения устройств на основе халькогенидов элементов IV группы __Локальная метрика состава твердых растворов на основе халькогенидов свинца__Рентгеноснектральный микроанализРентгеноснектральный микроанализ полупроводниковых твердых растворов методом Монте-КарлоНестационарный термозондовый метод как локальный метод анализа электрофизических свойств ПТРМетрологические характеристики НТМАнализ концентрационной зависимости коэффициента термо-ЭДСМетодика анализа состава нанофаз методом внутреннего трения __Управление типом и концентрацией собственных точечных дефектов структуры и свободных носителей заряда в кристаллических фазах__Тепловое разупорядочение в кристаллахИсследование термодинамических и кинетических условий образования и диффузии собственных точечных дефектов в твердых растворах Pb1-xSnxTeИзменение концентрации носителей заряда внутри области гомогенности в зависимости от условий термообработки кристалловОсновные соотношения, описывающие равновесие собственных дефектов в кристаллах (Pb1-xSnx)1-yТey с паромРасчет диаграммы P-T-концентрация носителей заряда для системы Pb-Sn-TeОпределение параметров диффузионных отжиговВлияние диффузии СДТС на свойства слоев Pb1-xSnxTe, полученных методами жидкофазной и газофазной эпитаксииМоделирование условий выращивания p-n-структур методом жидкофазной эпитаксииМоделирование условий выращивания p-n-структур методом газофазной эпитаксии __Нанопорошки и наноструктурированные поликристаллические материалы на основе халькогенидов свинца и олова__Йодидный метод синтеза халькогенидов элементов IV группыМодель самолегирования SnTe оловом при йодидном методе полученияФизико-химические основы наноструктурирования поликристаллических слоев халькогенидов свинцаПолучение и исследование наноструктурированных поли кристаллических слоев на основе PbSe для целей ИК-оптоэлектроникиВлияние примесей на кинетику термического окисления поликристаллических слоев PbSe и электрофизические свойства этих слоевСканированая копия 200dpi.