Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores: Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 „Halbleiter und Phosphore“ in Garmisch-Partenkirchen / Proceedings of the International Colloquium 1956 „Semiconductors

Vom 28. August bis l. September 1956 fand in Garmisch-Partenkirchen unter dem Patronat der Internationalen Union für reine und angewandte Physik (I.U.P.A.P.) und mit Unterstützung der UNESCO sowie der Bundes-und der Bayerischen Landesbehörden ein "Internationales Kolloquium über Halbleiter und Phosphore" statt. Das Kolloquium wurde vorbereitet von W. Gerlach, G. Joos, H. Maier-Leibnitz, M. Schön und H. Welker. Das Kolloquium schloß sich an die "International Conference on Semi­ conductors 1954" in Amsterdam an. Während dort bereits Probleme auch aus dem Bereich der den Halbleitern nahe verwandten photoleitenden Phosphore in einigen Beiträgen berührt wurden, wurde in Garmisch-Partenkirchen dieses Gebiet ausdrücklich in die gemeinsame Diskussion einbezogen. Besonders eingehend wurden behandelt: Kristallwachstum und Kristallbau­ fehler, chemische Natur und Art des Einbaus von Fremdatomen in das Kristallgitter, Oberflächenerscheinungen, diamagnetische Suszeptibilität, Ther­ mokraft und elektrische Eigenschaften sowohl von Halbleiter- als auch von Phosphorsubstanzen. Mit dem vorliegenden Band legen wir nun die Vorträge des Kolloquiums den Fachgenossen vor. Es sind auch die Beiträge aufgenommen, die den Teil­ nehmern an dem Kolloquium nur als Vordrucke verfügbar waren, über die aber aus Zeitmangel nicht vorgetragen werden konnte. Von einer Kürzung der Beiträge glaubten wir absehen zu sollen, wenn auch hierdurch der Umfang des Tagungsberichts über das vorgesehene Ausmaß angewachsen ist. Zu danken haben wir den Autoren, besonders aber dem Verlag, der jederzeit auf unsere Wünsche eingegangen ist und dem die Herstellung und Ausstattung des Bandes eine stete Sorge war. Front Matter....Pages I-1 Growth and Defects of Semiconductor Crystals....Pages 2-16 The Incorporation of Foreign Atoms in Crystalline solids....Pages 17-34 Chemismus der Leuchtzentrenbildung in II-VI-Verbindungen....Pages 35-44 Some Statistical Problems in Semiconductors....Pages 45-62 Energiefragen beim Einbau von Fremdionen in Ionenkristalle....Pages 63-80 Methods for Determination of Distribution of Surface States in Ge and Si....Pages 81-97 Photo-Electro-Magnetic and Magnetic Barrier Layer Effects....Pages 98-112 Irradiation of Semiconductors....Pages 113-138 Beeinflussung von Leuchtstoffen durch energiereiche Strahlung....Pages 139-157 Magnetische Suszeptibilität von Halbleitern....Pages 158-177 Thermoelektrische und thermomagnetische Effekte in Halbleitern....Pages 178-183 The Role of Low-Frequency Phonons in Thermoelectricity and Thermal Conduction....Pages 184-235 The Effects of Elastic Strain on the Conductivity of Homopolar Semiconductors....Pages 236-246 Elektrolumineszenz von suspendierten Sulfidphosphoren....Pages 247-262 A Review of Non-Sulphide Phosphors....Pages 263-268 Investigation of Energy Transfer in Liquid Organic Systems....Pages 269-284 Der nicht-elektronische Energietransport in Phosphoren....Pages 285-305 Elektronen- und Ionenprozesse in Silberhalogenidkristallen....Pages 306-316 Zener-Effekt und Stoßionisation....Pages 317-328 Surface Effects on the Diffusion of Impurities in Semiconductors....Pages 329-337 Sur la Technique de Tirage des Monocristaux de Germanium n-p-n....Pages 338-343 Mesures en Fonction de la Température du Courant dans les Jonctions de Germanium n-p....Pages 344-355 Trap Concentrations in Germanium, their Determination from Lifetime Measurements and the Relation to a Practical Breakdown Voltage in p-n Junction Rectifiers....Pages 356-362 Der Einfluß von schnellen α -Teilchen auf die Eigenschaften von Silizium p-n-Photoelementen....Pages 362-362 p-n-Übergänge aus InP zum Nachweis von Neutronenstrahlung....Pages 363-366 Paramagnetic Resonance in Single Crystals of SiC Doped with N, P, B or Al....Pages 367-370 Infrared Cyclotron Resonance and Magneto-optical Band Gap Effects in InSb....Pages 370-375 Zur Temperaturabhängigkeit der p-Absorptionsbanden in Germanium....Pages 375-379 Hall and Conductivity Mobilities in p-Type Silicon....Pages 380-385 Über den Hochtemperatur-Leitungsmechanismus thermisch Elektronen emittierender Oxyde....Pages 386-391 Zur Temperaturabhängigkeit der Trägerlebensdauer in hochreinem Silizium....Pages 392-398 The Lifetime of Charge Carriers in PbS....Pages 399-399 The Carrier Trapping due to the Dislocations in Polar and Nonpolar Semiconductors....Pages 400-401 The Trapping Centers of Electrons in Glass....Pages 402-402 Drift of Minority Carriers in the Presence of Trapping....Pages 402-407 Measurement of Minority Carrier Lifetime by the Phase Shift of Photoconductivity....Pages 408-412 Resonance Potentials in Thin Films of Potassium Chloride....Pages 413-425 Mechanismus der Lumineszenz von Silberhalogeniden und Versetzungen....Pages 426-428 Zur Driftbeweglichkeit von Elektronen in Silberchlorid....Pages 429-430 Fehlordnungseigenschaften am Silberjodid....Pages 431-434 Hole Motion in Anthracene Crystals....Pages 435-438 Experimenteller Beitrag zum Energieübertragungsmechanismus in Polystyrolphosphoren....Pages 439-444 Zur Frage der Energieübertragung in organischen Kristallen....Pages 445-450 Die magnetische Widerstandsänderung von Germanium im Temperaturbereich von 10 bis 20 °K....Pages 451-452 The Galvanomagnetic Effects in the Germanium-Silicon Alloys....Pages 452-452 Magnetoresistance Effects in Gallium Arsenide....Pages 453-456 Magnetoresistance and Hall Effect Studies in Graphite....Pages 456-462 Zur Theorie der longitudinalen Widerstandsänderung in konvalenten Halbleitern....Pages 462-462 Relationship of Hardness, Energy Gap and Melting Point of Diamond Type and Related Structures....Pages 463-469 Die elektrischen Eigenschaften von HgIn 2 Te 4 ....Pages 470-473 Über neue halbleitende Verbindungen mit Chalkopyritstruktur....Pages 474-476 Some Physical Properties of Bismuth Telluride....Pages 477-481 Generation of Imperfections by Thermal Stress....Pages 482-485 Effect of Orbital Quantization on Magneto Conductivity in Semiconductors....Pages 485-485 Über die Entstehung von elektromotorischen Kräften in Halbleitern....Pages 486-490 Die magnetische Suszeptibilität von eisen-dotiertem Germanium....Pages 491-494 The Interaction of Electrons and Phonons in Semiconductor Transport Phenomena....Pages 495-496 Wärmeleitfähigkeit von InSb....Pages 497-500 The Spectrum of the Photoconductive and Photomagnetic Effects in Semiconductors....Pages 500-500 Zur Plasmatheorie elektronischer Halbleiter....Pages 501-510 Elektronenoptische Untersuchungen spezieller Kristallisationserscheinungen des Selens....Pages 510-510 Die Dotierung von Indiumarsenid mit den Metallen der ersten Nebengruppe des periodischen Systems....Pages 511-514 Optical Properties of Pure and Doped SiC....Pages 514-524 Electrical Properties of Hexagonal SiC Doped with N, B or Al....Pages 525-533 Hydrogen as a Donor in Zinc Oxide....Pages 534-534 Diffusion von Aktivatoren in lumineszierendem Zinksulfid....Pages 535-537 Über den Effekt der Kathodothermolumineszenz....Pages 538-543 Über die Nichtexistenz einer Anregungsschwelle der Elektrolumineszenz....Pages 544-546 Photon Emission from Breakdown in Silicon....Pages 546-546 Radiation Resulting from the Recombination of Holes and Electrons in Silicon....Pages 546-546 Recent Investigations on the Electroluminescence of Gallium Phosphide....Pages 547-551 Probleme der p-n-Elektrolumineszenz im sichtbaren Spektralbereich....Pages 551-553 Absorption Dipolaire Debye de l’Oxyde de Zinc, du Selenium et du Carbure de Silicium....Pages 554-557 Absorption Photodipolaire du Sulfure de Zinc....Pages 557-559 Spectres d’absorption et d’émission attribués à l’exciton....Pages 560-560 Sur la nature de l’émission fluorescente de CdS pur à très basse température....Pages 561-565 Theorie stationärer und nichtstationärer Zustände des Exzitons im polaren Kristall....Pages 565-567 Application de l’Effet Photodiélectrique à l’Etude des Pièges à Electrons....Pages 568-570 Anodic Oxide Formation on Silicon....Pages 570-575 Junctions Induced in Germanium Surfaces by Transverse Electric Fields....Pages 576-576 Transfer of Material from Radioactive Point Contacts on Germanium....Pages 576-576 Über den Einfluß von Gasen und Dämpfen auf die Photoleitung und die Dunkelleitung dünner Bleiselenidschichten....Pages 577-580 Verzögerte Elektronenemission von Germanium....Pages 581-582 Die Elektronenemission bei der Oxydation von Metalloberflächen....Pages 583-584 On Thermal Transition Process of Electrons in Solids....Pages 584-587 Berechnung der Gitterschwingungen in Kristallen mit Zinkblendestruktur....Pages 587-592 Äußere Tilgung, Aktivatorenwechselwirkung und Wanderung der Löcher in den ZnSCu- und ZnSCuCo-Phosphoren....Pages 593-601 Fluoreszenz und Photoleitfähigkeit in Zink-Kadmium-Sulfiden aktiviert mit Silber....Pages 602-609 Facteurs Extincteurs de la Fluorescence de CdS(Ag)....Pages 610-613 Theory of Dynamic Quenching of Photoconductivity and Luminescence....Pages 613-622 Optische Anisotropie und Verhalten von Cadmiumsulfid- Einkristallen in Hochfrequenz-Feldern....Pages 622-629 Siliziumleistungsgleichrichter....Pages 630-640 Elektrische Eigenschaften einiger binärer Halbleiterverbindnngen....Pages 641-646 Über den Durchschlag in p-n-Übergängen in Germanium....Pages 647-649 A Note on the Energy Gaps of Semiconductors....Pages 650-651 Die Diffusion der Beimengungen im Silizium....Pages 652-655 Die relaxationsmäßige Dielektrikapolarisation und das innere Feld in Kristallen und Polykristallen....Pages 656-673 Determination of Surface States in Pb S Crystals....Pages 674-677 Glasartige Halbleiter....Pages 678-685 Back Matter....Pages 686-687 September 1956 fand in Garmisch-Partenkirchen unter dem Patronat der Internationalen Union fur reine und angewandte Physik (I.U.P.A.P.) und mit Unterstutzung der UNESCO sowie der Bundes-und der Bayerischen Landesbehoerden ein "Internationales Kolloquium uber Halbleiter und Phosphore" statt.