Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография

В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV . Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV . Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой. Рис. 3.4. Реакционная камера с нагревательным узлом где CПЕР, CРАВ – концентрации кристаллизуемого вещества в пересыщенном и равновесном растворах соответственно; k – постоянная Больцмана. Модуль сдвига в слое КТ на гетерогранице можно найти из выражения [16]: (ПОВ – межфазная поверхностная энергия, а – параметр решетки. Расчет межфазной энергии раздела зародыш-кристалл основан на выражении [12]: (4.6) где ΔаКР – критическое рассогласование параметров решетки, согласно автору работы [6] ΔаКР = 0,0025, С11, С12 – параметры напряжений по плоскостям (100) полученного твердого раствора. Технические аспекты получения 3 многокомпонентных соединений АIIIВV глава методом градиентной эпитаксии через тонкую газовую зону................................................