Физика электронных приборов: Учебное пособие для СПО

Введение Глава 1. Волновое движение 1.1. Волновая природа материи 1.2. Волновое движение и его свойства 1.2.1. Уравнение волны 1.2.2. Волновое уравнение 1.2.3. Стоячая волна 1.2.4. Групповая и фазовая скорость волны. Дисперсия Глава 2. Уравнения Максвелла 2.1. Уравнения Максвелла и электромагнитные волны 2.2. Свойства электромагнитных волн 2.2.1. Поперечность электромагнитных волн 2.2.2. Поляризация 2.2.3. Энергия электромагнитной волны 2.3. Свет 2.3.1. Энергетические параметры света 2.3.2. Фотометрические единицы 2.3.3. Распространение света в веществе. Отражение. Преломление 2.3.4. Интерференция и дифракция света Глава 3. Уравнение Шрёдингера 3.1. Уравнение Шрёдингера 3.2. Туннельный эффект 3.3. Движение микрочастицы в потенциальном ящике Глава 4. Некоторые сведения об операторном представлении квантовой механики 4.1. Общие представления об операторном методе 4.2. Момент импульса и спин 4.3. Принцип запрета Паули 4.4. Соотношение неопределённостей Гейзенберга Глава 5. Строение атома 5.1. Квантование энергии электрона в атоме 5.2. Состояние электрона в атоме 5.2.1. Система спектральных обозначений 5.3. Переходы электронов и некоторые вопросы излучения 5.3.1. Эффект Зеемана и эффект Штарка 5.3.2. Электронный парамагнитный резонанс 5.3.3. Черное тело. Люминесценция 5.3.4. Уширение спектральных линий 5.3.5. Спонтанное и вынужденное излучение. Распространение излучения в веществе Глава 6. Статистические распределения 6.1. Статистика Больцмана и квантовая статистика. Уровень Ферми 6.1.1. Статистика Больцмана 6.1.2. Квантовые статистики Глава 7. Движение электронов в вакууме 7.1. Движение электронов в электрических и магнитных полях 7.1.1. Уравнение движения электрона 7.1.2. Движение электронов в электрическом поле 7.1.3. Центрированные электронно-оптические системы 7.1.4. Движение электронов в магнитном поле 7.1.5. Движение электронов в скрещенных однородных магнитном и электрическом полях 7.2. Движение электронных пучков 7.2.1. Влияние объемного заряда на ток пучка 7.2.2. Электростатический метод управления плотностью электронного потока 7.2.3. Наведенный ток 7.2.4. Наведенный ток при прохождении модулированного по плотности электронного потока 7.2.5. Динамический метод управления плотностью электронного потока Глава 8. Движение электронов в газе 8.1. Основные понятия физики газового разряда 8.1.1. Типичные разряды и их классификация 8.2. Элементарные процессы в газовом разряде 8.2.1. Основные понятия газокинетической теории 8.2.2. Упругие столкновения электронов 8.2.3. Экранирование зарядов в плазме и дебаевский радиус 8.2.4. Неупругие столкновения электронов с атомами и молекулами 8.2.5. Дрейф, энергия и диффузия заряженных частиц в постоянном поле 8.2.6. Связь между коэффициентом диффузии, подвижностью и средней энергией электронов 8.2.7. Образование и гибель заряженных частиц в плазме 8.2.8. Плотность электронов в состоянии термодинамического равновесия 8.2.9. Рекомбинация электронов и положительных ионов 8.3. Испускание электронов катодом 8.3.1. Эмиссия электронов при ударах частиц 8.3.2. Фотоэлектронная эмиссия 8.4. Излучение и поглощение электромагнитного излучения плазмой 8.5. Разряды различного типа 8.5.1. Пробой газов 8.5.2. Пробой и зажигание самостоятельного разряда в однородном постоянном поле 8.5.3. Вольт-амперная характеристика разряда между электродами 8.5.4. Тлеющий разряд 8.5.5. Дуговые разряды 8.5.6. Высокочастотный индукционный разряд 8.5.7. Сверхвысокочастотные разряды 8.5.8. Непрерывный оптический разряд 8.5.9. Искровой и коронный разряды Глава 9. Движение электронов в твердом теле 9.1. Представления о твердом теле 9.2. Механизм проводимости в твердых телах 9.2.1. Предварительное качественное рассмотрение 9.2.2. Зонная теория твердых тел 9.2.3. Движение электрона в периодическом поле кристалла под действием внешнего поля. Эффективная масса электрона 9.2.4. Заполнение зон электронами 9.3. Движение электронов в полупроводниках 9.3.1. Собственные и примесные полупроводники 9.3.2. Концентрация носителей тока в полупроводниках 9.3.3. Подвижность электронов и дырок 9.3.4. Зависимость подвижности и скорости дрейфа от напряженности электрического поля 9.3.5. Проводимость полупроводников 9.3.6. Кинетические явления в полупроводниках 9.3.7. Эффект Холла 9.3.8. Поглощение света полупроводниками 9.3.9. Люминесценция полупроводников 9.4. Контактные явления. Работа выхода 9.5. Контакт двух металлов 9.6. p–n-переход 9.6.1. p–n-переход в состоянии равновесия 9.6.2. Неравновесное состояние р-n-перехода 9.6.3. Вольт-амперная характеристика идеального p–n-перехода. 9.6.4. Вольт-амперная характеристика реального p–n-перехода 9.6.5. Пробой p–n-перехода 9.6.6. Емкости p–n-перехода 9.6.7. Действие света на р–п-переход 9.7. Контакт полупроводника и металла 9.7.1. Выпрямление на контакте металл — полупроводник 9.7.2. Вольт-амперная характеристика перехода полупроводник — металл 9.8. Гетеропереходы 9.8.1. Структура гетероперехода 9.8.2. ВАХ гетеропереходов 9.8.3. Специфические эффекты в гетероструктурах Глава 10. Физические основы наноэлектроники 10.1. Структуры с пониженной размерностью 10.2. Свойства квантоворазмерных структур 10.3. Интерференционные эффекты в наноструктурах 10.4. Сверхрешетки 10.5. Одноэлектроника 10.6. Физические основы спинтроники Литература Содержание