Festkörperprobleme 9: In Referaten des Fachausschusses „Halbleiterphysik” der Deutschen Physikalischen Gesellschaft München, 19. bis 22. März 1969 zugleich Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE: „Forschung auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente

Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern....Pages 1-21 Charge transport in non-crystalline semiconductors....Pages 22-45 Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern....Pages 46-73 Light scattering in semiconductors....Pages 74-98 Der Jahn-Teller-Effekt....Pages 99-137 Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern....Pages 138-171 Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern....Pages 172-206 Analytic properties of thermodynamic functions and phase transitions....Pages 207-254 Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern....Pages 255-279 Physical properties of transferred-electron and avalanche microwave devices....Pages 280-299 Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren....Pages 300-315 The application of ion implantation to semiconductor devices....Pages 316-337 Computer device modeling....Pages 338-339 Monolithische Speicher....Pages 340-355 Thyristoren für hohe Spannungen....Pages 356-372 Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen....Pages 373-391