Былкова Г. К. Электроника и микроэлектроника. Биполярный транзистор

ТИТУЛЬНЫЙ ЛИСТ......Page 1 Введение......Page 3 1.1. Инжекция носителей заряда через прямосмещенный ЭП......Page 6 1.2. Диффузионное распространение инжектированных носителей заряда в базе от ЭП к КП с одновременной рекомбинацией их в области базы......Page 8 1.3. Экстракция носителей заряда через обратносмещеиный КП......Page 10 2.1. Статические характеристики транзистора в схеме с общей базой......Page 11 2.2. Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером......Page 19 3.1 .Рабочий режим транзистора, включенного по схеме с общей базой......Page 33 3.1.1. Определение рабочей области поля выходных характеристик......Page 36 3.1.2. Построение линий нагрузки (нагрузочных характеристик)......Page 39 3.1.3. Определение исходной рабочей точки и рабочего участка......Page 43 3.2. Рабочий режим транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и с общим коллектором......Page 49 4.1. Модели Эберса-Молла......Page 55 4.2.1. Т-образные эквивалентные схемы и физические параметры транзистора......Page 60 4.2.2. Транзистор как линейный четырехполюсник......Page 68 4.2.3. П-образная и гибридная эквивалентные схемы транзистора......Page 82 5.1. Рабочий диапазон температур......Page 86 5.2. Температурные свойства транзистора......Page 87 5.2.1.Температурный дрейф характеристик транзистора в схеме с общей базой (ОБ) ......Page 88 5.2.2. Температурный дрейф характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ)......Page 90 Библиографический список......Page 94 Оглавление......Page 95