Aide-mémoire Electronique des semiconducteurs Propriétés des matériaux Partie 2
معرفی کتاب «Aide-mémoire Electronique des semiconducteurs Propriétés des matériaux Partie 2» نوشتهٔ P. Baranski, V. Klotchkov, I. Potykevitch، منتشرشده توسط نشر Mir در سال 1978. این کتاب در فرمت pdf، زبان فرانسوی ارائه شده است.
Couverture Avant Page de titre SECTION 2 Les composés semi conducteurs AIII BV II. 1. Structure cristailline des composés AlllBV 11.2. Les défauts do la structure cristalline 11.3. Les propriétés de surface et le caractère polaire du réseau de la blende 11.4. Les états de surface II.%. Les liaisons chimiques dansles composés Al11BV ll.6. La structure de bande des composés AIIIBV II. 7. Les propriétés optiquesdes composés A111BV II.8. La luminescence : photo et électroluminescence II.9. Les effets de transport II.10. Les impuretés de dopage II11. Propriétés thermodynamiques II.12. Les processus de diffusion II. 13. Les traitementa thermiques et les effets d'irradiation 11.14. La susceptibilité magnétique des semiconducteurs AIIIBV JI.15. les constantes étasdques et les coefficients de dilation thermique II.l6. Les solutions solides entrecomposés A111BV II.17. L'utilisation de composés binaires A111BV en électronique des semiconducteurs SECTION 3 Les composés AII BV. lll.1. Structure cristalline cl nature des liaisons chimiques dans les composés d'éléments des groupes II et V III.2. Les phases vitreuses des composés A11BV III.3. Propriétés électriques et optiquesdes composés A~• B~ III.4. Propriétés électriques et optiquesde composés AHB~ III.5. Luminescence des composés CdP2 , ZnP 2 III.6. L'autoémission électronique des composés AHBV SECTION IV Les composés AII BVI IV. 1. Quelques propriétés des constituants élémentaires des composés AHBVI IV.2. Principales propriétés physiqueset physico-chimiques des composés AIIBVI IV.3. Les diagrammes de phasede systèmes AII-BVI IV.4. La structure cristallinedes composés AHBV1 IV.5. Les phases haute pression des composés AIIBVI IV.6. Liaisons chimiques dans les cristaux des composés AJIBVI IV.7. Les défauts de structure des cristaux IV.8. Association de défauts, défauts d'irradiation et résistance aux radiations des composés AHBVI IV.10. Les propriétés thermiques des composés AIIBVI IV.11. Diffusion et solubilité IV.12. Structures de bande des composés AIIBVJ IV.13. Les propriétés optiques IV.14. Recombinaison radiative près du front d'absorption SECTIO~ V Les composés semiconducteursternaires V.1. Composés semiconducteurs ternaireshomologues des composés AIIIBV V.2. Structure cristalline et principales propriétés physiques et pbysico-chimiques des composés AIIB•vc: V.3. Structures de bande de quelques composés A11B1 V.4. Propriétés physiques de quelquescomposés A11 Btvc,r V.5. Sur certains paramètres des centres de recombinaison et de piégeage V.6. Les spectres d'électroréflexion V. 7. Les spectres d • électroréflexion des cristaux de CdSnP 2 et CdSnAs2 V.8. Les compos& A1B111Cfi V. 9. Potentialités d'utilisation des composés ternaires en électronique des semiconducteurs BIBLIOGRAPHIE Appendices Index Table des matières
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